WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2003054627) PHASENSCHIEBERMASKE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/054627    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2002/004321
Veröffentlichungsdatum: 03.07.2003 Internationales Anmeldedatum: 25.11.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    09.07.2003    
IPC:
G03F 1/00 (2012.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
HENNIG, Mario [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÖHLE, Roderick [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KUNKEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PFORR, Rainer [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VOIGT, Ina [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HENNIG, Mario; (DE).
KÖHLE, Roderick; (DE).
KUNKEL, Gerhard; (DE).
PFORR, Rainer; (DE).
VOIGT, Ina; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 60 616.8 11.12.2001 DE
Titel (DE) PHASENSCHIEBERMASKE
(EN) PHASE SHIFTING MASK
(FR) MASQUE DEPHASEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Bei einer Phasenmaske (8) mit symmetrischen Strukturen (1, 2) zur Herstellung nahe aneinanderliegender Paare (5) von Strukturen (1', 2') auf einem Halbleiterwafer (9) wie beispielsweise Grabenkondensatorpaare für Speicherbausteine besitzen die Strukturen (1, 2) innerhalb des Paares gegeneinander einen Phasenhubunterschied von 180 °. Bei an der Auflösungsgrenze des Belichtungssystems liegenden Strukturdimensionen wird dadurch der Einfluss von Linsenaberrationen auf den dadurch entstehenden Rechts-Links-Linienbreitenunterschied reduziert. Ein Verfahren zur Herstellung der Strukturen (1', 2') auf dem Wafer (9) beinhaltet demn Schritt der Auswahl der Phasenzuordnung auf die rechte (2) oder linke Struktur (1) in Abhängigkeit vom Vorzeichen des Linienbreitenunterschiedes, wenn er unter Verwendung des gleichen Belichtungssystems ohne Phasenzuordnung gemessen wird.
(EN)The invention relates to a phase shifting mask (8) having symmetrical structures (1, 2) for the production of adjacent pairs (5) of structures (1', 2') on a semiconductor wafer (9), such as pairs of trench capacitors for memory modules, the structures (1, 2) inside the pair having a phase deviation difference of 180° in relation to each other. The dimensions of the structures at the limit of resolution of the lighting system enable the influence of lens aberrations on the difference in line width created between the right and the left to be reduced. The invention also relates to a method for producing the structures (1', 2') on the wafer (9), consisting of a step in which the phase attribution to the right structure (2) or left structure (1) is selected according to the sign of the difference in line width when said difference is measured without phase attribution, using the same lighting system.
(FR)Masque déphaseur (8) qui comporte des structures symétriques (1, 2) pour la fabrication de paires adjacentes (5) de structures (1', 2') sur une tranche de semi-conducteur (9), telles que par exemple des paires de condensateurs en tranchée pour des modules de mémoire, et dans lequel les structures (1, 2) au sein de la paire possèdent l'une par rapport à l'autre une différence d'amplitude de déphasage de 180°. Les dimensions des structures se trouvant à la limite de résolution du système d'éclairage permettent de réduire l'influence des aberrations de lentille sur la différence de largeur de ligne se produisant entre la gauche et la droite. Un procédé de fabrication des structures (1', 2') sur la tranche (9) consiste à sélectionner l'attribution de phase à la structure droite (2) ou à la structure gauche (1) en fonction du signe de la différence de largeur de ligne lorsque cette différence est mesurée sans attribution de phase et en utilisant le même système d'éclairage.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)