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1. (WO2003043092) OHMSCHE KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/043092    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2002/004178
Veröffentlichungsdatum: 22.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 12.11.2002
IPC:
H01S 5/042 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
BRÜDERL, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HÄRLE, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUGAUER, Hans-Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BRÜDERL, Georg; (DE).
HAHN, Berthold; (DE).
HÄRLE, Volker; (DE).
LUGAUER, Hans-Jürgen; (DE).
STRAUSS, Uwe; (DE).
WEIMAR, Andreas; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 55 442.7 12.11.2001 DE
Titel (DE) OHMSCHE KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) OHMIC CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE SAME
(FR) STRUCTURE DE CONTACT OHMIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt eine ohmsche Kontaktstruktur mit einer Metallisierung (14), die auf einem Halbleitermaterial (10) angeordnet ist, wobei in dem Halbleitermaterial (10) eine Kontaktschicht gebildet ist, die einen an die Metallisierung (14) grenzenden ersten Teilbereich und einen dem ersten Teilbereich nachgeordneten zweiten Teilbereich (18) aufweist. Die Kontaktschicht ist so dotiert, dass die Dotierungskonzentration (N2) im ersten Teilbereich (12) größer als die Dotierungskonzentration (N1) im zweiten Teilbereich (18) ist.
(EN)The invention relates to an ohmic contact structure comprising a metallisation layer (14) which is arranged on a semiconductor material (10). A contact layer is formed in the semiconductor material (10, said contact layer comprising a first partial region which is adjacent to the metallisation layer (14) and a second partial region (18) following the first partial region. The contact layer is doped in such a way that the doping concentration (N2) in the first partial region (12) is higher than the doping concentration (N1) in the second partial region (18).
(FR)L'invention concerne une structure de contact ohmique comprenant une couche de métallisation (14) déposée sur un matériau semi-conducteur (10). Une couche de contact, formée dans le matériau semi-conducteur (10), présente une première zone partielle adjacente à la couche de métallisation (14) et une deuxième zone partielle (18) qui succède à la première zone partielle. La couche de contact est dopée de telle façon que la concentration de dopage (N<sb>2</sb>) de la première zone partielle (12) est supérieure à la concentration de dopage (N<sb>1</sb>) de la deuxième zone partielle (18).
Designierte Staaten: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)