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1. (WO2003043086) VERFAHREN ZUM ERFASSEN VON STRÖMEN IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM MULTI-ZELLEN-STROMSENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/043086    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2002/003870
Veröffentlichungsdatum: 22.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 11.10.2002
IPC:
G01R 19/00 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
FEILER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
QU, Ning [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FEILER, Wolfgang; (DE).
QU, Ning; (DE)
Prioritätsdaten:
101 55 373.0 10.11.2001 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ERFASSEN VON STRÖMEN IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM MULTI-ZELLEN-STROMSENSOR
(EN) METHOD FOR DETECTING CURRENTS IN A SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A MULTI-CELL CURRENT SENSOR
(FR) PROCEDE DE DETECTION DE COURANTS DANS UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN D'UN CAPTEUR DE COURANT MULTICELLULAIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Erfassen von Strömen in einem Halbleiterbauelement (100), wobei mindestens eine Stromsensorzelle (101) in einem aktiven Bereich (102) eines Halbleiterbauelements (100) angeordnet wird, wobei die mindestens eine Stromsensorzelle (101) an vorgebbaren lokalen Stellen in dem Halbleiterbauelement positionierbar ist, eine erste Source-Anschlusseinheit (111) der Stromsensorzelle (101) mit einem Bondanschluss (203) über Leiterbahnen (204) verbunden wird, mindestens ein Strom von einem Substrat (104) des Halbleiterbauelements (100) über die mindestens eine Stromsensorzelle (101), die erste Source-Anschlusseinheit (111) und ein Sensorwiderstandselement (113) zu einem Masseanschluss (116) durchgeleitet wird, und mindestens ein durch die mindestens eine Stromsensorzelle fließender Strom durch Abgreifen eines dem Strom entsprechenden Spannungsabfalls über dem Sensorwiderstandselement (113) erfasst wird.
(EN)The invention relates to a method for detecting currents in a semiconductor component (100), whereby at least one current sensor cell (101) is located in an active region (102) of a semiconductor component (100). The at least one current sensor cell (101) can be positioned at predeterminable local positions in the semiconductor component. A first source connection unit (111) of the current sensor cell (101) is connected to a bond connection (203) via conductor tracks (204). At least one current is conducted from a substrate (104) of the semiconductor component (100) via the at least one current sensor cell (101), the first source connection unit (111) and via a sensor resistance element (113) to a ground connection (116). At least one current flowing through the at least one current sensor cell is detected by tapping a voltage drop, which corresponds to the current and occurs over the sensor resistance element (113).
(FR)L'invention concerne un procédé de détection de courants dans un composant à semi-conducteur (100), au moins une cellule de détection de courant (101) étant disposée dans une zone active (102) d'un composant à semi-conducteur (100). La/les cellules(s) de détection de courant peut/peuvent être positionnée(s) dans le composant à semi-conducteur en des emplacements locaux prédéterminables. Une première unité de connexion à la source (111) de l'unité de détection de courant (101) est reliée à un plot de connexion (203) par l'intermédiaire de tracés conducteurs (204). Au moins un courant provenant d'un substrat (104) du composant à semi-conducteur (100) est conduit jusqu'à une connexion à la masse (116) par l'intermédiaire de la/des cellules de détection de courant (101), de la première unité de connexion à la source (111) ainsi que d'un élément de résistance à la détection (113). Au moins un courant traversant la/les cellules de détection du courant est détecté par l'intermédiaire de l'élément de résistance à la détection (113) par prélèvement d'une chute de tension correspondant au courant.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)