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1. (WO2003042627) FELDEFFEKTTRANSISTOR-SENSOR FÜR EINE SONDE EINES RASTERSONDENMIKROSKOSKOPS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/042627    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2002/012513
Veröffentlichungsdatum: 22.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 08.11.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    11.04.2003    
IPC:
G01N 27/82 (2006.01), G01R 1/07 (2006.01), G01R 33/06 (2006.01)
Anmelder: UNIVERSITÄT KASSEL [DE/DE]; Mönchebergstrasse 19, 34125 Kassel (DE) (For All Designated States Except US).
EDINGER, Klaus [DE/US]; (US) (For US Only).
RANGELOW, Ivajlo [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GRABIEC, Piotr [PL/PL]; (PL) (For US Only).
MELNGAILIS, John [US/US]; (US) (For US Only)
Erfinder: EDINGER, Klaus; (US).
RANGELOW, Ivajlo; (DE).
GRABIEC, Piotr; (PL).
MELNGAILIS, John; (US)
Vertreter: MANITZ, FINSTERWALD & PARTNER GBR; Postfach 31 02 20, 80102 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 55 930.5 14.11.2001 DE
Titel (DE) FELDEFFEKTTRANSISTOR-SENSOR FÜR EINE SONDE EINES RASTERSONDENMIKROSKOSKOPS
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR SENSOR FOR A SCREEN PROBE MICROSCOPE
(FR) CAPTEUR A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere für eine Sonde eines Rastersondenmikroskops, zum Untersuchen sich benachbart zum Sensor befindlicher Probenoberflächen (40) oder Felder mit zumindest einem, wenigstens ein Halbleitermaterial aufweisenden Feldeffekttransistor (FET). Des Weiteren betrifft die Erfindung einen Hallsensor aus zumindest einem Halbleitermaterial zum Detektieren von magnetischen Feldern, dessen laterales Auflösungsvermögen elektrisch einstellbar ist, sowie eine Halblei-terelektrode (28), deren Elektrodenfläche elektrisch einstellbar ist.
(EN)The invention relates to a sensor, especially for the probe of a screen probe microscope, for examining probe surfaces (40) or areas adjacent to the sensor, comprising at least one field effect transistor (FET) made of at least one semiconductor material. The invention also relates to a hall sensor made of at least one semiconductor material for detecting magnetic fields and whose lateral resolution capacity can be electrically adjusted, in addition to a semiconductor electrode (28) whose electrode surface can be electrically adjusted.
(FR)L'invention concerne un capteur destiné notamment à une sonde d'un microscope-sonde à balayage et servant à examiner des surfaces d'échantillons ou des champs se trouvant à proximité du capteur. Le capteur selon l'invention comprend au moins un transistor à effet de champ (TEC) présentant au moins un matériau semi-conducteur. L'invention concerne également un capteur de Hall dans au moins un matériau semi-conducteur, qui sert à détecter des champs magnétiques et dont le pouvoir de résolution latéral est réglable électriquement. L'invention concerne en outre une électrode semi-conductrice dont la surface d'électrode est réglable électriquement.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)