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1. (WO2003038913) NITRID-BASIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/038913    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2002/004026
Veröffentlichungsdatum: 08.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 28.10.2002
IPC:
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STRAUSS, Uwe; (DE).
WEIMAR, Andreas; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 52 922.8 26.10.2001 DE
Titel (DE) NITRID-BASIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt ein Nitrid-basierendes Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper (1) mit einer darauf aufgebrachten Kontaktmetallisierung (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist mit einer Schutzschicht versehen, die gegebenenfalls auch Teilbereiche der Kontaktmetallisierung (4) bedeckt und die eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Ausnehmungen (5) aufweist.
(EN)The invention concerns a nitride-based semiconductor component comprising a semiconductor body (1) whereon is deposited a contact metallization (4). The semiconductor body (1) is provided with a protective layer which optionally also covers partial zones of the contact metallization (4) and has a plurality of mutually juxtaposed recesses (2).
(FR)L'invention concerne un composant à semi-conducteur à base de nitrure, qui comprend un corps semi-conducteur (1) sur lequel est déposée une métallisation de contact (4). Le corps semi-conducteur (1) est pourvu d'une couche protectrice qui recouvre éventuellement également des zones partielles de la métallisation de contact (4) et qui présente une pluralité de creux (5) situés les uns à côté des autres.
Designierte Staaten: JP, US.
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)