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1. (WO2003038908) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTODIODENKONTAKTIERUNG FÜR EINEN TFA-BILDSENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/038908    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2002/004008
Veröffentlichungsdatum: 08.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 24.10.2002
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Anmelder: STMICROELECTRONICS NV [NL/NL]; WTC Schiphol Airport, Schiphol Boulevaard 265, 1118BH Schiphol Airport, Amsterdam (NL) (For All Designated States Except US).
RIEVE, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEIBEL, Konstantin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WAGNER, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: RIEVE, Peter; (DE).
SEIBEL, Konstantin; (DE).
WAGNER, Michael; (DE)
Vertreter: LIPPERT, STACHOW, SCHMIDT & PARTNER; Krenkelstrasse 3, 01309 Dresden (DE)
Prioritätsdaten:
101 52 776.4 29.10.2001 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTODIODENKONTAKTIERUNG FÜR EINEN TFA-BILDSENSOR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PHOTODIODE CONTACT FOR A TFA IMAGE SENSOR
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UNE MISE EN CONTACT DE PHOTODIODE POUR CAPTEUR D'IMAGE TFA
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Photodiodenkontaktierung für einen TFA-Bildsensor mit einer Photodiode durch Abscheiden einer Mehrschichtanordnung und einer transparenten leitfähigen Kontaktschicht (13) auf einem ASIC-Schaltkreis, der mit einem Zwischenmetall-Dielektrikum beschichtet worden ist und der in einem photoaktiven Bereich (2) Vias (7) im Pixelraster aufweist, die sich durch das Zwischenmetall-Dielektrikum (5) erstrecken und jeweils mit einer Leiterbahn (8) des CMOS-ASIC-Schaltkreises verbunden sind, wobei auf dem Zwischenmetall-Dielektrikum (5) eine im Pixelraster strukturierte Barriereschicht (6) und auf dieser eine CMOS-Metallisierung (3) angeordnet ist. Durch die Erfindung soll mit einfachen technologischen Mitteln eine Verbesserung der Kenngrössen der Photodiode erreicht werden. Erreicht wird dies dadurch, dass mindestens die auf dem CMOS-ASIC-Schaltkreis (1) befindliche CMOS-Metallisierung (3) im Bereich des photoaktiven Bereiches bis auf die strukturierte Barriereschicht (6) entfernt und dass anschliessend die Mehrschichtanordnung der Photodiode (12) sowie die leitfähige transparente Kontaktschicht (13) auf dem CMOS-ASIC-Schaltkreis (1) aufgebracht wird.
(EN)The invention relates to a method for producing a photodiode contact for a TFA image sensor which comprises a photodiode, produced by deposition of a multilayer system and a transparent conductive contact layer (13) on an ASIC circuit that has been coated with an intermediate metal dielectric component and that has vias (7) in a photoactive zone (2) which are arranged in a pixel grid. Said vias extend through the intermediate metal dielectric component (5) and are linked with respective strip conductors (8) of the CMOS-ASIC circuit. A pixel-grid structured barrier layer (6), and on top thereof a CMOS metallization (3), are arranged on the intermediate metal dielectric component (5). The aim of the invention is to improve the characteristic variables of the photodiode by simple technological means. This aim is achieved by removing at least the CMOS metallization (3) present on the CMOS-ASIC circuit (1) in the area of the photoactive zone except for the structured barrier layer (6) and subsequently applying the multilayer system of the photodiode (12) and the conductive transparent contact layer (13) to the CMOS-ASIC circuit (1).
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire une mise en contact de photodiode pour capteur d'image TFA comprenant une photodiode, par dépôt d'un ensemble multicouche et d'une couche de mise en contact (13) conductrice et transparente sur un circuit ASIC qui a été recouvert d'un diélectrique de métal intermédiaire et qui présente, dans une zone photoactive (2), des trous d'interconnexion (7) sous forme de réseau de pixels. Ces trous d'interconnexion s'étendent sur le diélectrique de métal intermédiaire (5) et sont respectivement connectés à une piste conductrice (8) du circuit ASIC CMOS. Une couche de barrière (6) structurée sous forme de réseau de pixels se trouve sur le diélectrique de métal intermédiaire (5) et une métallisation CMOS (3) se trouve sur cette couche de barrière. L'objectif de la présente invention est de mettre au point des moyens technologiques simples, qui permettent d'améliorer les paramètres caractéristiques de la photodiode. A cette fin, au moins la métallisation CMOS (3) se trouvant sur le circuit ASIC CMOS (1) est retirée dans la zone photoactive jusqu'à la couche de barrière structurée (6), puis l'ensemble multicouche de la photodiode (12) et la couche de mise en contact (13) conductrice et transparente sont appliqués sur le circuit ASIC CMOS (1).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)