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1. (WO2003038866) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM TROCKNEN VON HALBLEITERSCHEIBEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/038866    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2002/011986
Veröffentlichungsdatum: 08.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 26.10.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    28.05.2003    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Anmelder: RIETMANN, Werner [CH/CH]; (CH)
Erfinder: RIETMANN, Werner; (CH)
Vertreter: HIEBSCH, Gerhard, F.; Hiebsch Peege Behrmann, Heinrich-Weber-Platz 1, 78224 Singen (DE)
Prioritätsdaten:
101 53 225.3 31.10.2001 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM TROCKNEN VON HALBLEITERSCHEIBEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR DRYING SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR SECHER DES OBJETS PLATS, NOTAMMENT DES TRANCHES DE GALLIUM OU DE SILICIUM OU BIEN DES SUBSTRATS ANALOGUES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Bei einem Verfahren zum Trocknen von flächigen Gegenständen wie plattenförmigen Informationsträgern bzw. deren Halbzeugen, insbesondere von Scheiben aus Gallium bzw. Silizium od.dgl. Substraten in einer verschliessbaren Prozesskammer (30, 61) zur Aufnahme eines das/die Substrat/e (10) haltenden Trägers (12), werden die Substrate (10) in ein Bad (20) getaucht und sind im Sprühbereich von Düsen (50, 51, 52) bewegbar; die Scheibe/n (10) od.dgl. wird/werden in das Bad (20) aus hochreiner Behandlungsflüssigkeit als Trennmedium (Q) sowie spezifisch leichterem Wasser getaucht, und an der Badoberfläche (21) wird mit dem Trennmedium eine Querströmung erzeugt sowie die Restfeuchte von der Badoberfläche abgeschoben. Zudem wird die Behandlungsflüssigkeit bzw. das Trennmedium (Q) unter Raumtemperatur gekühlt; die Temperatur der Scheibe (10) od.dgl. wird über der Umgebungstemperatur gehalten, insbesondere etwa 5°C über Raumtemperatur.
(EN)The invention concerns a method for drying flat objects, such as data storage media in the form of wafers or their half-finished products, and in particular gallium or silicon slices or like substrates, in a treatment chamber (30, 61) capable of being locked, wherein is housed a support (12) receiving the substrate(s) (10). According to the invention, the substrates (10) are dipped in a bath (20) and displaced in a zone of spraying nozzles (50, 51, 52). The invention is characterized in that the slice(s) (10) or the like are dipped in a bath (20) consisting of a high-purity treatment liquid as separation medium (Q) and specific light water, a transverse current being generated by means of a separation medium at the bath surface (21), wherefrom the residual moisture is extracted. Additionally, the treatment liquid or separation medium (Q) is cooled at room temperature, the temperature of the slice (10) or the like is maintained at a higher level than the ambient temperature, in particular about 5 °C above room temperature.
(FR)L'invention concerne un procédé pour sécher des objets plats, tels que des supports d'informations en forme de plaquettes ou leurs demi-produits, et notamment des tranches de gallium ou de silicium ou des substrats analogues, dans une chambre de traitement (30, 61) verrouillable, dans laquelle est logé un support (12) recevant le(s) substrat(s) (10). Selon l'invention, les substrats (10) sont plongés dans un bain (20) et déplacés dans la zone de pulvérisation de buses (50, 51, 52). L'invention est caractérisée en ce que la/les tranche(s) (10) ou analogues sont plongés dans le bain (20) composé d'un liquide de traitement de grande pureté en tant que milieu de séparation (Q) et d'eau légère spécifique, un courant transversal étant créé au moyen du milieu de séparation à la surface (21) du bain, de laquelle est extraite l'humidité résiduelle. En outre, le liquide de traitement ou le milieu de séparation (Q) est refroidi à l'ambiante, la température de la tranche (10) ou analogue est maintenue à un niveau supérieur à la température environnante, notamment environ 5 °C au-dessus de la température ambiante.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)