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1. (WO2003038472) TRANSMISSIONSDETEKTOR NEBST HERSTELLUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/038472    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2002/003942
Veröffentlichungsdatum: 08.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 18.10.2002
IPC:
G01T 1/24 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/0232 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/115 (2006.01), H01L 31/117 (2006.01)
Anmelder: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
PROTIC, Davor [HR/DE]; (DE) (For US Only).
KRINGS, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: PROTIC, Davor; (DE).
KRINGS, Thomas; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente, 52425 Jülich (DE)
Prioritätsdaten:
101 53 241.5 31.10.2001 DE
Titel (DE) TRANSMISSIONSDETEKTOR NEBST HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) TRANSMISSION DETECTOR AND A CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) DETECTEUR DE TRANSMISSION ET PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren für die Herstellung eines Detektors für die Energiebestimmung von Photonen sowie geladenen Teilchen und zwar einen sogenannten $g(D)E- oder Transmissionsdetektor. Die Erfindung betrifft einen verfahrensgemäss herstellbaren Detektor. Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens für die Herstellung eines Detektors der eingangs genannten Art, der langzeitstabil sind und bei dem tote Zonen deutlich vermindert sind. Aufgabe der Erfindung ist ferner die Bereitstellung eines solchen Detektors. Zur Lösung der Aufgabe wird verfahrensgemäss ein Si(Li)-Substrat bereitgestellt, welches eine p?+¿- sowie eine n-Schicht aufweist. Es kann sich dabei um nach dem vorgenannten Stand der Technik hergestellte Schichten handeln. Verfahrensgemäss wird die n-Schicht zum Beispiel durch chemisches Ätzen, durch Feinschliff oder durch Läppen teilweise abgetragen. Insbesondere Läppen hat sich bewährt. Hierdurch wird die Zone reduziert, die in einem Detektor der eingangs genannten Art unwirksam ist. Aus dem so behandelten Substrat wird der Detektor hergestellt. Im Vergleich zum nach dem jeweiligen Stand der Technik hergestellten Detektor ist die tote Zone wesentlich verringert worden.
(EN)The invention relates to a method for producing a detector for determining the energy of photons and charged particles, to be precise, a so-called $g(D)E detector or transmission detector. The invention also relates to a detector that can be produced by using said method. The aim of the invention is to provide a method for producing a detector of the aforementioned type that is stable over a long period of time and in which dead zones are distinctly minimized. The invention also aims to provide a detector of this type. To these ends, the inventive method is used to produce a Si(Li) substrate having a p?+¿ layer and an n layer. These can be layers produced according to the prior art. According to the inventive method, the n layer is partially removed, for example, by chemical etching, honing or by lapping. Lapping, in particular, has proven to be effective. This reduces the zone that is ineffective in a detector of the aforementioned type. The detector is produced from the substrate treated in this manner. The dead zones in the detector are significantly minimized compared to those in a detector produced using prior art methods.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un détecteur de l'énergie de photons et d'autres particules chargées, c.-à-d. un détecteur $g(D)E ou détecteur de transmission. L'invention concerne également un détecteur ainsi fabriqué. L'invention vise à mettre en oeuvre un procédé de fabrication d'un tel détecteur, ainsi qu'un tel détecteur stable à long terme et présentant un nombre de zones mortes réduit. A cet effet, le procédé selon l'invention consiste à mettre en oeuvre un substrat Si(Li) présentant une couche p?+¿- et une couche n, lesdites couches pouvant être connues en soi, et à éliminer la couche n par corrosion chimique, polissage fin ou rodage notamment. Ainsi, il est possible de réduire la zone inactive. Le détecteur est fabriqué à partir du substrat ainsi fabriqué.
Designierte Staaten: CA, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)