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1. (WO2003038144) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN INSBESONDERE KRISTALLINER SCHICHTEN AUF INSBESONDERE KRISTALLINEN SUBSTRATEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/038144    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2002/010871
Veröffentlichungsdatum: 08.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 27.09.2002
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Anmelder: AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen (DE) (For All Designated States Except US).
FRANKEN, Walter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÄPPELER, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FRANKEN, Walter; (DE).
KÄPPELER, Johannes; (DE)
Vertreter: GRUNDMANN, Dirk; c/o Rieder & Partner Corneliusstrasse 45 42329 Wuppertal (DE)
Prioritätsdaten:
101 53 463.9 30.10.2001 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN INSBESONDERE KRISTALLINER SCHICHTEN AUF INSBESONDERE KRISTALLINEN SUBSTRATEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITING ESPECIALLY CRYSTALLINE LAYERS ONTO ESPECIALLY CRYSTALLINE SUBSTRATES
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DEPOSER EN PARTICULIER DES COUCHES CRISTALLINES NOTAMMENT SUR DES SUBSTRATS CRISTALLINS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Zum Zwecke des Abscheidens von III-V Halbleiterschichten, die auch Stickstoff enthalten, insbesondere zum Abscheiden von II-IV-Verbindungen, Oxiden, insbesondere Metall-Oxiden, wird vorgeschlagen, dass die Stirnseite des Gaseinlassorganes und der Stirnseite unmittelbar gegenüber liegende Bereich des Substrathalters Elektroden ausbilden, die zur Erzeugung eines kapazitiven Plasmas an einen Hochfrequenzreaktor anschliessbar bzw. angeschlossen sind.
(EN)The invention relates to a method for depositing III-V semiconductor layers that also contain nitrogen, especially for depositing II-IV compounds, oxides, especially metal oxides. According to the invention, the front face of the gas inlet element and the area of the substrate holder directly opposite said front face form electrodes that can be connected or that are connected to a high frequency reactor to produce a capacitive plasma.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour déposer des couches de semi-conducteur III-V qui renferment également de l'azote, notamment pour déposer des composés II-IV, des oxydes, en particulier des oxydes métalliques. Selon ce procédé, la face de l'organe d'admission de gaz et la zone du support de substrat directement opposée à cette face forment des électrodes qui peuvent être connectées ou qui sont connectées à un réacteur haute fréquence afin de produire un plasma capacitif.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)