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1. (WO2003036724) HALBLEITERSTRUKTUR MIT VERRINGERTER KAPAZITIVER KOPPLUNG ZWISCHEN BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/036724    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2002/009703
Veröffentlichungsdatum: 01.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 30.08.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    13.05.2003    
IPC:
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BOECK, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEISTER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHAEFER, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BOECK, Josef; (DE).
MEISTER, Thomas; (DE).
SCHAEFER, Herbert; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE)
Vertreter: SCHOPPE, Fritz; Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, Postfach 246, 82043 Pullach bei München (DE)
Prioritätsdaten:
101 51 203.1 17.10.2001 DE
Titel (DE) HALBLEITERSTRUKTUR MIT VERRINGERTER KAPAZITIVER KOPPLUNG ZWISCHEN BAUELEMENT
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH REDUCED CAPACITIVE COUPLING BETWEEN COMPONENTS
(FR) STRUCTURE A SEMI-CONDUCTEUR A COUPLAGE CAPACITIF REDUIT ENTRE DES COMPOSANTS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat (10), eine Baulementschicht (18), die an einer Oberfläche (12) des Substrats (10) angeordnet ist, einen Bipolar-Transistor (30a) und ein Halbleiter-Bauelement (30b), die in der Bauelementschicht (18) angeordnet sind, und einen Isolierbereich (60, 62, 64, 66, 68), der an den Bipolar-Transistor (30a) und das Halbleiter-Bauelement (30b) angrenzt, einen Zwischenraum (102) zwischen dem Bipolar-Transistor (30a) und dem Halbleiter-Bauelement (30b) vollständig einnimmt und ein elektrisch isolierendes Material aufweist.
(EN)The invention concerns a semiconductor structure comprising a substrate (10), a layer (18) for components arranged on one surface (12) of the substrate (10), a bipolar transistor (30a) and a semiconductor component (30b) which are arranged in the layer for components and an insulating layer (60, 62, 64, 66, 68) which is adjacent to the bipolar transistor (30a) and to the semiconductor component (30b), which completely fills an intermediate gap (102) separating the bipolar conductor (30a) from the semiconductor component (30b) and which has an electrically insulating material.
(FR)Structure à semi-conducteur qui comporte un substrat (10), une couche (18) pour composants placée sur une surface (12) du substrat (10), un transistor bipolaire (30a) et un composant semi-conducteur (30b) qui sont placés dans la couche pour composants et une couche d'isolation (60, 62, 64, 66, 68) qui est adjacente au transistor bipolaire (30a) et au composant semi-conducteur (30b), qui emplit complètement un espace intermédiaire (102) séparant le transistor bipolaire (30a) du composant semi-conducteur (30b) et qui possède une matière électriquement isolante.
Designierte Staaten: US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)