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1. (WO2003036723) HALBLEITERSTRUKTUR MIT EINEM VON DEM SUBSTRAT KAPAZITIV ENTKOPPELTEN BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

IA gilt als zurückgenommen 2004-01-15 00:00:00.0


TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/036723    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2002/009705
Veröffentlichungsdatum: 01.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 30.08.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    13.05.2003    
IPC:
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BOECK, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEISTER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHAEFER, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BOECK, Josef; (DE).
MEISTER, Thomas; (DE).
SCHAEFER, Herbert; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE)
Vertreter: SCHOPPE, Fritz; Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, Postfach 246, 82043 Pullach bei München (DE)
Prioritätsdaten:
101 51 132.9 17.10.2001 DE
Titel (DE) HALBLEITERSTRUKTUR MIT EINEM VON DEM SUBSTRAT KAPAZITIV ENTKOPPELTEN BAUELEMENT
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH A COMPONENT CAPACITIVELY UNCOUPLED FROM THE SUBSTRATE
(FR) STRUCTURE A SEMI-CONDUCTEUR DOTEE D'UN COMPOSANT DECOUPLE DU SUBSTRAT DE MANIERE CAPACITIVE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat (10), eine Isolierschicht (14), die an einer Oberfläche (12) des Substrats (10) angeordnet ist, eine Bauelementschicht (18), die an einer von dem Substrat (10) abgewandten Oberfläche (16) der Isolierschicht (14) angeordnet ist, ein Halbleiter-Bauelement (30a, 30b), das in der Bauelementschicht (18) angeordnet ist, und einen Bereich zur kapazitiven Entkopplung des Halbleiter-Bauelements (30a, 30b) von dem Substrat (10), der durch eine in einem an die Isolierschicht (14) angrenzenden Bereich des Substrats (10) gebildete Raumladungszone (96) gebildet ist.
(EN)The invention concerns a semiconductor structure comprising a substrate (10), an insulating layer (14) arranged on one surface of the substrate (10), a layer (18) for components arranged on one surface (16) of the insulating layer (14) opposite the substrate (10), a semiconductor component (30a, 30b) arranged in the layer (18) for components and zone designed for capacitively uncoupling said semiconductor component (30a, 30b) relative to the substrate (10), said zone being formed by a space charge zone (96) formed in a region of the substrate (10) adjacent to the insulating layer (14).
(FR)Structure à semi-conducteur qui comporte un substrat (10), une couche d'isolation (14) placée sur une surface (12) du substrat (10), une couche (18) pour composants placée sur une surface (16) de la couche d'isolation (14) opposée au substrat (14), un composant semi-conducteur (30a, 30b) placé dans la couche (18) pour composants et une zone destinée au découplage capacitif du composant semi-conducteur (30a, 30b) par rapport au substrat (10), ladite zone étant formée par une zone de charge d'espace (96) formée dans une région du substrat (10) adjacente à la couche d'isolation (14).
Designierte Staaten: US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)