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1. (WO2003035548) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCH REINEM SILIZIUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/035548    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2002/011519
Veröffentlichungsdatum: 01.05.2003 Internationales Anmeldedatum: 15.10.2002
IPC:
C01B 33/027 (2006.01), C01B 33/029 (2006.01)
Anmelder: SILICON TECHNOLOGIES AS [NO/NO]; Veritasveien 14, N-1323 Hövik (NO) (For All Designated States Except US).
HUGO, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BJÖRSETH, Alf [NO/NO]; (NO) (For US Only).
CECCAROLI, Bruno [FR/NO]; (NO) (For US Only).
MAURITS, Jan [US/US]; (US) (For US Only)
Erfinder: HUGO, Franz; (DE).
BJÖRSETH, Alf; (NO).
CECCAROLI, Bruno; (NO).
MAURITS, Jan; (US)
Vertreter: GRIMM, Ekkehard; Edith-Stein-Strasse 22, 63075 Offenbach/Main (DE)
Prioritätsdaten:
101 51 159.0 19.10.2001 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCH REINEM SILIZIUM
(EN) METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY SILICON
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM DE GRANDE PURETE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hoch reinem Silizium, insbesondere für photovoltaische Verwendungszwecke, vorzugsweise zur Verwendung für die Waferfertigung, bei dem zur Siliziumgewinnung Silan thermisch zersetzt wird, das dadurch gekennzeichnet ist, dass gasförmiges Silan in eine Schmelze aus Silizium eingeblasen wird und dass nach Abschluss des Einblasens des Silans die Schmelze abgegossen und zur Erstarrung gebracht wird.
(EN)The invention relates to a method for producing high-purity silicon, especially for photovoltaic purposes and preferably for using in the production of wafers, according to which silane is thermally decomposed in order to obtain silicon. The inventive method is characterised in that gaseous silane is injected into a silicon melt and, following the injection of the silane, the melt is cast and solidified.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de silicium de grande pureté utilisé notamment dans des applications photovoltaïques, de préférence, dans la production de plaquettes. Selon ce procédé, du silane est soumis à une décomposition thermique pour obtenir du silicium. L'invention est caractérisée en ce que du silane gazeux est insufflé dans une masse fondue de silicium et en ce qu'au terme de l'insufflation de silane, la masse fondue est coulée et solidifiée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)