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1. (WO2003025673) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EUV-REFLEXIONSMASKE

Pub. No.:    WO/2003/025673    International Application No.:    PCT/DE2002/003121
Publication Date: 27.03.2003 International Filing Date: 26.08.2002
IPC: G03F 1/00
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG
GOEDL, Gernot
RAU, Jenspeter
WANDEL, Timo
Inventors: GOEDL, Gernot
RAU, Jenspeter
WANDEL, Timo
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EUV-REFLEXIONSMASKE
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsmaske, insbesondere EUV-Reflexionsmaske, bei dem in oder auf einer Multilayerschicht (2), die auf der einem zu belichtenden Halbleiterwafer zugewendeten Vorderseite (V) der Reflexionsmaske (1) vorgesehen ist, entsprechend den auf dem Halbleiterwafer zu belichtenden Mustern gut reflektierende Maskenbereiche (4, 4') und strahlungsabsorbierende Bereiche (3) gebildet werden, wobei ein Reparaturschritt vorgesehen ist, der helle Defektbereiche (4') der Multilayerschicht (2), die fälschlich strahlungsreflektierende Maskenbereiche statt strahlungsabsorbierende Bereiche (3) bilden, mit einem Schreibstrahl (5) repariert, der beim Überstreichen der hellen Defektbereiche (4') örtlich die Reflektivität der Multilayerschicht (2) verändert und diese dort strahlungsabsorbierend macht.