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1. (WO2003021353) PHOTOLITHOGRAPHISCHE MASKE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/021353    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2002/008482
Veröffentlichungsdatum: 13.03.2003 Internationales Anmeldedatum: 30.07.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    28.03.2003    
IPC:
G03F 1/00 (2012.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Muenchen (DE) (For All Designated States Except US).
BAUCH, Lothar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KUNKEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SACHSE, Hermann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WURZER, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BAUCH, Lothar; (DE).
KUNKEL, Gerhard; (DE).
SACHSE, Hermann; (DE).
WURZER, Helmut; (DE)
Vertreter: ZIMMERMANN & PARTNER; Postfach 330 920, 80069 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 42 588.0 31.08.2001 DE
102 03 358.7 29.01.2002 DE
Titel (DE) PHOTOLITHOGRAPHISCHE MASKE
(EN) PHOTOLITHOGRAPHIC MASK
(FR) MASQUE PHOTOLITHOGRAPHIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Erfindungsgemäß wird eine photolithographische Maske zur Belichtung vonstrahlungsempfindlichen Resistschichten auf Halbleitersubstraten bereitgestellt,wobei die Maske zumindest ein strahlungsdurchlässiges Substrat und zumindesteine strahlungsundurchlässige Schicht oder/und zumindest eine Halbtonschichtaufweist. Mittels der strahlungsundurchlässigen Schicht oder/und der Halbtonschichtsind Hauptstrukturen vorgesehen, wobei die Hauptstrukturen so ausgebildet sind,daß das durch die Hauptstrukturen gebildete Muster bei einer Bestrahlung in dieResistschicht übertragen wird, und mittels der strahlungsundurchlässigen Schichtoder/und der Halbtonschicht sind Hilfsstrukturen vorgesehen, wobei die Hilfsstrukturenso ausgebildet sind, daß das durch die Hilfsstrukturen gebildete Muster bei einerBestrahlung nicht in die Resistschicht übertragen wird.
(EN)The invention relates to a photolithographic mask for exposing radiosensitive resist layers on semiconductor substrates. Said mask comprises at least one radioparent substrate and at least one radiopaque layer and/or at least one halftone layer. Main structures are provided by means of the radiopaque layer and/or the halftone layer, said main structures being embodied in such a way that the model formed thereby is transmitted into the resist layer during exposure to radiation. Auxiliary structures are provided by means of the radiopaque layer and/or the halftone layer, said auxiliary structures being embodied in such a way that the model formed thereby is not transmitted into the resist layer during exposure to radiation.
(FR)L'invention concerne un masque photolithographique servant à exposer à la lumière, des couches de réserve sensibles aux rayonnements sur des substrats de semi-conducteurs. Ledit masque présente au moins un substrat perméable aux rayonnements et au moins une couche perméable aux rayonnements et/ou au moins une couche à demi-teintes. La couche perméable aux rayonnements et/ou la couche à demi-teintes sont utilisées pour prévoir des structures principales se présentant de manière que le modèle formé par lesdites structures principales soit transmis dans la couche de réserve lors d'une exposition aux rayonnements. La couche perméable aux rayonnements et/ou la couche à demi-teintes permet de prévoir des structures secondaires se présentant de manière que le modèle formé par lesdites structures secondaires ne soit pas transmis dans la couche de réserve lors d'une exposition aux rayonnements.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)