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1. (WO2003017374) SPEICHERZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/017374    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2002/002759
Veröffentlichungsdatum: 27.02.2003 Internationales Anmeldedatum: 26.07.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    06.03.2003    
IPC:
H01L 29/792 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
HOFMANN, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WILLER, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HOFMANN, Franz; (DE).
WILLER, Josef; (DE)
Vertreter: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Steinsdorfstrasse 6, 80538 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 38 585.4 06.08.2001 DE
Titel (DE) SPEICHERZELLE
(EN) MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Eine Speicherzelle weist auf: einen Source−Bereich, (304) einen Drain−Bereich (305), ein Source−seitiges Steuergate (315), ein Drain−seitiges Steuergate (316), ein zwischen dem Source−seitigen Steuergate (315) und dem Drain−seitigen Steuergate (316) angeordnetes Injektionsgate, (302) ein beim Source−seitigen Steuergate (315) angeordnetes Source−seitiges Speicherelement (311) und ein beim Drain−seitigen Steuergate (316) angeordnetes Drain−seitiges Speicherelement (312). Zum Programmieren der Speicherzelle wird an das Injektionsgate (302) eine niedrige und an die Steuergates eine hohe elektrische Spannung angelegt.
(EN)The invention relates to a memory cell comprising a source region, a drain region, a control gate which is situated on the source side, a control gate which is situated on the drain side, an injection gate which is arranged between the source-side control gate and the drain-side control gate, a source-side memory element which is arranged in relation to the source-side control gate, and a drain-side memory element which is arranged in relation to the drain-side control gate. In order to program the memory cell, a low electrical voltage is applied to the injection gate and a high electrical voltage is applied to the control gate.
(FR)Cellule de mémoire comprenant une région source, une région drain, une grille de commande côté source, une grille de commande côté drain, une grille d'injection agencée entre la grille de commande côté source et la grille de commande côté drain, un élément de mémoire côté source, disposé à proximité de la grille de commande côté source, et un élément de mémoire côté drain, disposé à proximité de la grille de commande côté drain. Pour la programmation de la cellule de mémoire, une tension électrique faible est appliquée à la grille d'injection, et une tension électrique élevée est appliquée à la grille de commande.
Designierte Staaten: BR, CA, CN, IL, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)