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1. (WO2003009334) HALBLEITERBAUELEMENT ALS KAPAZITIVER FEUCHTESENSOR, SOWIE EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBLEITERBAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/009334    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2002/002481
Veröffentlichungsdatum: 30.01.2003 Internationales Anmeldedatum: 06.07.2002
IPC:
G01N 27/12 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEBER, Heribert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHAEFER, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BENZEL, Hubert; (DE).
WEBER, Heribert; (DE).
SCHAEFER, Frank; (DE)
Prioritätsdaten:
101 34 938.6 18.07.2001 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT ALS KAPAZITIVER FEUCHTESENSOR, SOWIE EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT ACTING AS CAPACITIVE HUMIDITY SENSOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE PERMETTANT DE LE PRODUIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft insbesondere ein Halbleiterbauelement, wie insbesondere ein Feuchtesensor (200, 300, 400, 500, 600, 700, 800), das ein Halbleitersubstrat (101), wie insbesondere aus Silizium, eine erste Elektrode (102) und eine zweite Elektrode (202) und mindestens eine erste Schicht (101) aufweist, die für ein auf das Halbleiterbauelement von aussen einwirkendes Medium zugänglich ist, wobei die erste Schicht zumindest teilweise zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet ist. Um insbesondere die Kosten zur Herstellung des Halbleiterbauelements zu verringern, ist erfindungsgemäss vorgesehen, dass die erste Schicht Poren (301) aufweist, in die das Medium zumindest teilweise gelangt ist.
(EN)The invention especially relates to a semiconductor component, such as especially a humidity sensor (200, 300, 400, 500, 600, 700, 800), comprising a semiconductor substrate (101), especially consisting of silicon for example, a first electrode (102), a second electrode (202), and at least one first layer (101) which can be accessed by a medium which acts on the semiconductor component from outside. The first layer is at least partially arranged between the first and the second electrode. In order to especially reduce the production costs of said semiconductor component, the first layer comprises pores (301) in which the medium at least partially passes.
(FR)L'invention concerne notamment un élément semi-conducteur, tel que notamment un capteur d'humidité (200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) qui présente un substrat semi-conducteur (101), tel qu'en particulier du silicium, une première électrode (102) et une seconde électrode (202) et au moins une première couche (101), accessible pour un milieu agissant depuis l'extérieur sur le composant semi-conducteur. La première couche se situe au moins en partie entre la première et la deuxième électrode. Afin notamment de réduire les coûts de production dudit composant semi-conducteur, il est prévu que la première couche présente des pores (301) dans lesquels le milieu parvient au moins en partie.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)