WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2003007371) TRANSISTORZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/007371    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2002/007306
Veröffentlichungsdatum: 23.01.2003 Internationales Anmeldedatum: 02.07.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    10.02.2003    
IPC:
H01L 23/367 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Muenchen (DE) (For All Designated States Except US).
KELLER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MUELLER, Jan-Erik [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PFOST, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZWICKNAGL, Hans-Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KELLER, Wolfgang; (DE).
MUELLER, Jan-Erik; (DE).
PFOST, Martin; (DE).
ZWICKNAGL, Hans-Peter; (DE)
Vertreter: ZIMMERMANN & PARTNER; Postfach 330 920, 80069 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 33 362.5 10.07.2001 DE
Titel (DE) TRANSISTORZELLE
(EN) TRANSISTOR CELL
(FR) CELLULE A TRANSISTORS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die erfindungsgemässe Transistorzelle basiert auf der Überlegung, dass für die Einzeltransistoren in einer Transistorzelle eine an die Temperaturverhältnisse im Betrieb angepasste Wärmeableitung vorgesehen ist. So kann beispielsweise die Wärmeableitung der an sich kälteren Transistoren am Rand der Zelle gezielt verschlechtert werden, so dass sie die gleiche Temperatur erreichen wie die an sich wärmeren Transistorenin der Mitte der Zelle. Dies kann erreicht werden, ohne dass die Temperatur der heissesten Transistorenwesentlich erhöht wird.
(EN)The invention relates to a transistor cell, characterized in that for the individual transistors of said transistor cell a heat dissipation adapted to the temperature conditions of the cell in operation is provided. Heat dissipation can for example be specifically reduced for the transistors at the edge of a cell which are colder so that they reach the same temperature as the transistors in the center of the cell which are hotter. This can be achieved without substantially increasing the temperature of the hottest transistors.
(FR)Cellule à transistors reposant sur l'exigence selon laquelle une dissipation de chaleur adaptée aux conditions de température en fonctionnement doit être prévue pour les transistors individuels d'une cellule à transistors. Ainsi, par exemple, la dissipation de chaleur des transistors plus froids se trouvant sur le bord de la cellule peut-elle être détériorée à dessein afin que lesdits transistors atteignent la même température que les transistors plus chauds situés au milieu de la cellule. Il est possible d'y parvenir sans que la température des transistors les plus chauds soit considérablement augmentée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)