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1. (WO2003007355) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONTAKTEN FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT SOLCHEN KONTAKTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/007355    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2002/007507
Veröffentlichungsdatum: 23.01.2003 Internationales Anmeldedatum: 05.07.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    15.01.2003    
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
KRÖNKE, Matthias [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STAUB, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WANG, Kae-Horng [--/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KRÖNKE, Matthias; (DE).
STAUB, Ralf; (DE).
WANG, Kae-Horng; (DE)
Vertreter: WILHELM, Jürgen; Patentanwaltskanzlei, Wilhelm & Beck, Nymphenburger Strasse 139, 80636 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 33 873.2 12.07.2001 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONTAKTEN FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT SOLCHEN KONTAKTEN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF CONTACTS FOR INTEGRATED CIRCUITS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH SAID CONTACTS
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS POUR CIRCUITS INTEGRES ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR POURVU DESDITS CONTACTS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es werden einen (oder mehrere) Kontakte auf einem oder mehreren aktiven Bereichen einer Halbleiterscheibe, wobei auf den zu kontaktierenden aktiven Bereichen eine oder mehrere isolierte Steuerleitungen angeordnet sein können, erzeugt. Bei den Steuerleitungen kann es sich beispielsweise um Gateleitungen handeln. Das Halbleiterbauelement wird wie folgt hergestellt: Aufbringen einer Polysiliziumschicht auf die Halbleiterscheibe, Strukturieren der Polysiliziumschicht, um einen Polysiliziumkontakt über dem aktiven Bereich zu erzeugen, wobei der Polysiliziumkontakt die beiden Steuerleitungen zumindest zum Teil überdeckt, Aufbringen einer ersten Isolatorschicht auf die Halbleiterscheibe unter Einbettung des Polysiliziumkontakts, teilweises Abtragen der ersten Isolatorschicht unter Freilegung der Deckfläche des Polysiliziumkontakts und Aufbringen einer Metallschicht auf der Halbleiterscheibe zur elektrischen Kontaktierung des Polysiliziumkontakts.
(EN)The invention relates to the production of one (or several) contacts on one or several active areas of a semiconductor disk, whereby one or several insulated control lines can be arranged on the active areas to be contacted. The control lines can, for example, be gate lines. The semiconductor element is produced in the following manner: a polysilicon layer is deposited on the semiconductor disk, the polysilicon layer is structured in order to produce a polysilicon contact over the active area, whereby the polysilicon contact covers the two control lines in an at least partial manner, a first insulator layer is applied to the semiconductor disk incorporating said polysilicon contact, the first insulator layer is partially removed to reveal the covering surface of the polysilicon contact and a metal layer is applied to the semiconductor disk for the electrical contacting of the polysilicon contact.
(FR)L'invention concerne la réalisation d'un (ou de plusieurs) contact(s) sur une ou plusieurs zones actives d'une tranche, une ou plusieurs lignes de commande isolées, par exemple des contacts de grille, pouvant être agencées sur les zones actives à lier. Ce dispositif à semiconducteur est fabriqué selon un procédé consistant à appliquer une couche de polysilicium sur la tranche, à structurer cette couche de polysilicium pour réaliser un contact polysilicium sur la zone active, lequel contact recouvre au moins partiellement les deux lignes de commande, à appliquer une première couche isolante sur la tranche en enrobant le contact polysilicium, à enlever partiellement cette première couche isolante en dégageant la surface de recouvrement du contact polysilicium puis à appliquer une couche métallique sur ladite tranche pour la métallisation du contact polysilicium.
Designierte Staaten: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)