WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2003005563) INTEGRIERTER HALBLEITERMISCHER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/005563    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2002/006010
Veröffentlichungsdatum: 16.01.2003 Internationales Anmeldedatum: 31.05.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    25.01.2003    
IPC:
H03D 9/06 (2006.01)
Anmelder: MARCONI COMMUNICATIONS GMBH [DE/DE]; Gerberstrasse 33, 71522 Backnang (DE) (For All Designated States Except US).
GERHARD, Gregor [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KERN, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOCH, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GERHARD, Gregor; (DE).
KERN, Stefan; (DE).
KOCH, Stefan; (DE)
Vertreter: GROSSE, Rainer; Leitzstrasse 45, 70469 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
01115902.7 29.06.2001 EP
Titel (DE) INTEGRIERTER HALBLEITERMISCHER
(EN) INTEGRATED SEMICONDUCTOR MIXER
(FR) MELANGEUR A SEMICONDUCTEURS INTEGRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen integrierten Halbleitermischer mit einem Substrat (10), einem auf dem Substrat (10) angeordneten Radiofrequenz-Balun (12), einem auf dem Substrat (10) angeordneten Lokaloszillator-Balun (14), einem auf dem Substrat (10) angeordneten Zwischenfrequenzport (16), und einer auf dem Substrat (10) angeordneten Mischerdiodenenordnung (18), die mit dem Radiofrequenz-Balun (12), dem Lokaloszillator-Balun (14) und dem Zwischenfrequenzport (16) kommuniziert, wobei der Radiofrequenz-Balun (12) gegen den Lokaloszillator-Balun (14) mittels Durchkontaktierungen (20) abgeschirmt ist.
(EN)The invention relates to an integrated semiconductor mixer. Said mixer comprises a substrate (10), a radio frequency balun (12) located on said substrate (10), a local oscillator balun (14) disposed on the substrate (10), an intermediate frequency port (16) positioned on said substrate (10) and a mixer diode assembly (18), which communicates with the radio frequency balun (12), the local oscillator balun (14) and the intermediate frequency port (16) and is also located on the substrate (10). The radio frequency balun (12) is shielded from the local oscillator balun (14) by means of vias (20).
(FR)L'invention concerne un mélangeur à semiconducteurs intégré comprenant un substrat (10), un symétriseur radiofréquence (12) disposé sur le substrat (10), un symétriseur à oscillateur local (14) disposé sur le substrat (10), un port à fréquence intermédiaire (16) situé sur le substrat (10) et un ensemble de diodes (18) placé sur le substrat (10), cet ensemble communiquant avec le symétriseur radiofréquence (12), le symétriseur à oscillateur local (14) et le port à fréquence intermédiaire (16). Ce mélangeur se caractérise en ce que le symétriseur radiofréquence (12) est protégé vis-à-vis du symétriseur à oscillateur local (14) au moyen de trous métallisés (20).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)