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1. (WO2003005410) HABLEITER-VORRICHTUNG, HALBLEITER-TESTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITER-VORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/005410    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2002/002179
Veröffentlichungsdatum: 16.01.2003 Internationales Anmeldedatum: 14.06.2002
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    29.01.2003    
IPC:
H01L 23/485 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
FAZEKAS, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MARTIN, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FAZEKAS, Josef; (DE).
MARTIN, Andreas; (DE)
Vertreter: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Steindorfstr. 6, 80538 München (DE)
Prioritätsdaten:
101 32 641.6 05.07.2001 DE
90116483 05.07.2001 TW
09/899,683 05.07.2001 US
Titel (DE) HABLEITER-VORRICHTUNG, HALBLEITER-TESTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITER-VORRICHTUNG
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR TEST STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, STRUCTURE DE TEST SEMI-CONDUCTRICE ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Auf einem elektrisch aktiven Bereich ist ein Isolationsbereich aus einem Dielektrikum aufgebracht und darauf ein elektrisch leitfähiger Bereich, der an eine elektrisch leitfähige Zuleitung angeschlossen ist. Benachbart zu der elektrisch leitfähigen Zuleitung ist eine Hilfs-Leiterbahn angeordnet, welche mit einem Bereich mit mindestens mit Dotieratomen eines ersten Leitfähigkeitstyp hoch dotiert ist, verbunden ist.
(EN)According to the invention, an insulating region consisting of a dielectric is applied to an electrically active region. An electroconductive region connected to an electroconductive supply lead is then applied to said insulating region. An auxiliary strip conductor is arranged next to the electroconductive supply lead, said strip conductor being connected to at least one region which is highly doped with doping atoms of a first conductivity type.
(FR)Selon l'invention, on dépose sur une zone active électriquement une zone isolante constituée d'un diélectrique. Puis, on dépose sur cette zone isolante une zone électroconductrice qui est raccordée à une ligne d'alimentation électroconductrice. A côté de la ligne d'alimentation électroconductrice se trouve une piste conductrice auxiliaire qui est raccordée à au moins une zone fortement dopée avec des atomes de dopage d'un premier type de conductivité.
Designierte Staaten: CN, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)