WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2003004724) CVD-VORRICHTUNG MIT DIFFERENZIERT TEMPERIERTEM SUBSTRATHALTER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/004724    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2002/004405
Veröffentlichungsdatum: 16.01.2003 Internationales Anmeldedatum: 22.04.2002
IPC:
C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01)
Anmelder: AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17, 52072 Aachen (DE) (For All Designated States Except US).
KÄPPELER, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KÄPPELER, Johannes; (DE)
Vertreter: GRUNDMANN, Dirk; Rieder & Partner, Corneliusstrasse 45, 42329 Wuppertal (DE)
Prioritätsdaten:
101 32 448.0 04.07.2001 DE
Titel (DE) CVD-VORRICHTUNG MIT DIFFERENZIERT TEMPERIERTEM SUBSTRATHALTER
(EN) CVD SYSTEM COMPRISING A THERMALLY DIFFERENTIATED SUBSTRATE SUPPORT
(FR) DISPOSITIF CVD POURVU D'UN PORTE-SUBSTRAT A TEMPERATURE DIFFERENCIEE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem insbesondere kristallinen Substrat (1) mit einem hochfrequenzbeheizten Substrathalter (2) aus leitfähigem Material zur flächenaufliegenden Halterung des Substrates (1), welcher Substrathalter (2) eine Zone (3) höherer elektrischer Leitfähigkeit aufweist. Es ist vorgesehen, dass die höher elektrisch leitfähige Zone der Auflagefläche des Substrates (1) zugeordnet ist, wobei diese Zone im Wesentlichen der vom Substrat eingenommenen Fläche entspricht. Zufolge dieser Maßnahme wird die Zone, auf welcher das Substrat liegt, heißer, als die das Substrat umgebende Substratoberfläche. (Fig. 2)
(EN)The invention relates to a device for depositing especially crystalline layers on an especially crystalline substrate (1), comprising a high-frequency heated substrate support (2) from a conductive material on which the substrate (1) is two-dimensionally supported, and which comprises a zone (3) of higher conductivity. The system is specifically characterized in that the higher conductivity zone is associated with the surface of support of the substrate (1) and substantially corresponds to the area occupied by the substrate. Further, the zone on which the substrate rests heats up more than the substrate surface surrounding the substrate.
(FR)L'invention concerne un dispositif servant à déposer des couches notamment cristallines sur un substrat notamment cristallin (1). Le dispositif selon l'invention comprend un porte-substrat (2) chauffé par haute fréquence, constitué d'un matériau conducteur, supportant le substrat (1) à plat et présentant une zone (3) de conductivité électrique plus élevée. Selon l'invention, la zone de conductivité électrique plus élevée est affectée à la surface d'appui du substrat (1) et correspond pratiquement à la surface occupée par le substrat. Ainsi, la zone sur laquelle repose le substrat devient plus chaude que la surface de substrat entourant le substrat.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)