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1. (WO2002071452) VERFAHREN ZUR SUBMIKROMETER-STRUKTURIERUNG VON SILIZIDEN SOWIE DADURCH HERGESTELLTE BAUTEILE

Pub. No.:    WO/2002/071452    International Application No.:    PCT/DE2002/000387
Publication Date: 12.09.2002 International Filing Date: 02.02.2002
IPC: H01L 21/28
H01L 21/336
Applicants: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
ZHAO, Quing-Tai
KLUTH, Patrick
MANTL, Siegfried
Inventors: ZHAO, Quing-Tai
KLUTH, Patrick
MANTL, Siegfried
Title: VERFAHREN ZUR SUBMIKROMETER-STRUKTURIERUNG VON SILIZIDEN SOWIE DADURCH HERGESTELLTE BAUTEILE
Abstract:
Die Erdindung betrifft ein selbst ausrichtendes Strukturierungsverfahren zur Herstellung von Submikrometer-Strukturen in Silizidschichten auf einem Substrat. Zunächst wird eine Metallschicht auf ein Substrat aufgebracht, welches zusammen mit dem Substrat zu einer Silizidschicht reagieren kann. Anschliessend werden Masken auf die Metallschicht aufgebracht. Die Spannungsverteilung, die durch die Maske Einschnitte, d. h. Einkerungen, bis zur Oberfläche der ausgebildeten Metallschicht erzeugt werden. Am Boden eines Einschnitts ist das Spannungsfel regelmässig grösser. Eine spannungsabhängige Festkörperreaktion (Silizidierung) erzeugt dann die gewünschte Nanometer-Strukturierung der gebildeten Silizidschicht, beispeilsweise erfolgt die Silizidierungsreaktion nur in dem Bereich unterhalb der Maske, während am Boden des Einschnitts keine Slilizidierungsreaktion erfolgt. Auf diese Weise können vorteilhaft verschiedene MOSFETs zusammen mit einigen weiteren Prozessschritten hergestellt werden.