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1. (WO2002043160) LICHTEMITTIERENDE HALBLEITERBAUELEMENTE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/043160 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2001/004396
Veröffentlichungsdatum: 30.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 22.11.2001
IPC:
H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/26 (2010.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/32 (2006.01) ,H01S 5/34 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
024
Kühlanordnungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32
mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
34
mit Quantum-Well- oder Übergitterstrukturen, z.B. Single-Quantum-Well-Laser [SQW-Laser], Multiple-Quantum-Well-Laser [MQW-Laser], Graded-Index-Separate-Confinement-Heterostruktur-Laser [GRINSCH-Laser]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
34
mit Quantum-Well- oder Übergitterstrukturen, z.B. Single-Quantum-Well-Laser [SQW-Laser], Multiple-Quantum-Well-Laser [MQW-Laser], Graded-Index-Separate-Confinement-Heterostruktur-Laser [GRINSCH-Laser]
343
in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-strasee 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
AVERBECK, Robert [DE/DE]; DE (UsOnly)
RIECHERT, Henning [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
AVERBECK, Robert; DE
RIECHERT, Henning; DE
Vertreter:
VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Steinsdorfstrasse 6 80538 München, DE
Prioritätsdaten:
100 58 445.424.11.2000DE
Titel (DE) LICHTEMITTIERENDE HALBLEITERBAUELEMENTE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS LUMINESCENTS ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(DE) Auf einem Substrat insbesondere aus Silizium ist eine Germanium und/oder Kohlenstoff enthaltenes Silizium-Legierung aufgebracht, in der lichtaktives Material, beispielsweise III-V Halbleitermaterial, insbesondere Indium-Arsenid ein- oder aufgebracht ist.
(EN) A germanium- and/or carbon-containing silicon-alloy is applied to a substrate made, in particular, from silicon, in or on which a light-active material, for example, III-V semiconductor material, in particular, indium arsenide, is applied.
(FR) L'invention concerne un alliage de silicium contenant du germanium et/ou du carbone, appliqué sur un substrat en particulier de silicium, alliage dans ou sur lequel est appliquée une substance photosensible, par exemple une substance semi-conductrice III-V, en particulier de l'arséniure d'indium.
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Designierte Staaten: JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)