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1. (WO2002043154) PYROELEKTRISCHER BILDENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/043154 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2001/004374
Veröffentlichungsdatum: 30.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 21.11.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 14.05.2002
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
Anmelder:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München, DE (AllExceptUS)
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81541 München, DE (AllExceptUS)
BRUCHHAUS, Rainer [DE/JP]; JP (UsOnly)
KOLB, Stefan [DE/DE]; DE (UsOnly)
PITZER, Dana [DE/DE]; DE (UsOnly)
PRIMIG, Robert [AT/DE]; DE (UsOnly)
SCHREITER, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
WINKLER, Bernhard [AT/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
BRUCHHAUS, Rainer; JP
KOLB, Stefan; DE
PITZER, Dana; DE
PRIMIG, Robert; DE
SCHREITER, Matthias; DE
WINKLER, Bernhard; DE
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München, DE
Prioritätsdaten:
100 58 861.127.11.2000DE
Titel (DE) PYROELEKTRISCHER BILDENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) PYROELECTRIC IMAGE SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DETECTEUR D'IMAGE PYROELECTRIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Zusammenfassung:
(DE) Ein Infrarotsensor für hochauflösende Infrarot-Detektoranordnungen hat einen Träger (20), auf dem mindestens ein Pixelelement (30) zur Detektion von Infrarotstrahlung angeordnet ist, und eine in den Träger integrierte Ausleseelektronik, die an das Pixelelement (30) gekoppelt ist. Kontaktflächen (2) der Ausleseelektronik befinden sich im Inneren des Trägers (20). Die Ausleseelektronik und das Pixelelement (30) sind übereinander ausgebildet. Der Träger (20) enthält eine CMOS-kompatible Oberflächenmikromechanikstruktur mit einem evakuierten Hohlraum (7) unterhalb des Pixelelements (30) und säulenartigen Metallstrukturen (6a), die sich vertikal erstrecken und die Kontaktflächen (2) der Ausleseelektronik mit dem Pixelelement (30) elektrisch verbinden. Bei einem Verfahren zur Herstellung des IR-Sensors werden Ausleseelektronik oder Bauelemente der Ausleseelektronik und Pixelelement (30) vertikal übereinander angeordnet.
(EN) The invention relates to a an infrared sensor for high-resolution infrared detector systems which comprises a support (20) on which at least one pixel element (30) that detects infrared radiation is disposed. Read-out electronics are integrated into the support and coupled to the pixel element (30), and the contact surfaces (2) of the read-out electronics are located inside the support (20). The read-out electronics and the pixel element (30) are configured one on top of the other. The support (20) comprises a CMOS-compatible micromechanical surface structure with an evacuated cavity (7) below the pixel element (30) and vertically extending column-type metal structures (6a) that electrically connect the contact surfaces (2) of the read-out electronics to the pixel element (30). The invention also relates to a method for producing an IR sensor, according to which the read-out electronics or components of the read-out electronics and the pixel element (30) are disposed vertically one on top of the other.
(FR) La présente invention concerne un détecteur à infrarouge destiné à des dispositifs de détection à infrarouge haute résolution. Ce détecteur à infrarouge comprend un support (20), sur lequel se trouve au moins un élément de pixel (30) permettant de détecter un rayonnement infrarouge, ainsi qu'un système électronique de lecture intégré au support qui est connecté audit élément de pixel (30). Des surfaces de contact (2) du système électronique de lecture se trouvent à l'intérieur du support (20). Le système électronique de lecture et l'élément de pixel (30) sont disposés l'un au-dessus de l'autre. Le support (20) comprend une structure micromécanique de surface compatible CMOS, qui présente une cavité sous vide (7) en-dessous de l'élément de pixel (30) et des structures métalliques (6a) de type colonne, qui s'étendent à la verticale et qui assurent la connexion électrique entre les surfaces de contact (2) du système électronique de lecture et l'élément de pixel (30). La présente invention concerne également un procédé de production dudit détecteur à infrarouge, selon lequel le système électronique de lecture et l'élément de pixel (30) sont disposés verticalement l'un au-dessus de l'autre.
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Designierte Staaten: JP, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)