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1. (WO2002043067) INTEGRIERTER SPEICHER MIT EINER ANORDNUNG VON NICHT-FLÜCHTIGEN SPEICHERZELLEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ZUM BETRIEB DES INTEGRIERTEN SPEICHERS
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Veröff.-Nr.: WO/2002/043067 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2001/004091
Veröffentlichungsdatum: 30.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 29.10.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 19.06.2002
IPC:
G11C 11/15 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
02
mit magnetischen Elementen
14
mit Dünnschichtelementen
15
mit mehreren magnetischen Schichten
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
MÜLLER, Gerhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHLÖSSER, Till [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
MÜLLER, Gerhard; DE
SCHLÖSSER, Till; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN & FISCHER; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
100 58 047.523.11.2000DE
Titel (DE) INTEGRIERTER SPEICHER MIT EINER ANORDNUNG VON NICHT-FLÜCHTIGEN SPEICHERZELLEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ZUM BETRIEB DES INTEGRIERTEN SPEICHERS
(EN) INTEGRATED MEMORY WITH AN ARRANGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND METHOD FOR THE PRODUCTION AND OPERATION OF AN INTEGRATED MEMORY
(FR) MEMOIRE INTEGREE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE CELLULES MEMOIRES NON VOLATILES, ET PROCEDE POUR FABRIQUER ET FAIRE FONCTIONNER CETTE MEMOIRE INTEGREE
Zusammenfassung:
(DE) Ein integrierter Speicher mit einer Anordnung vom nicht-flüchtigen, auf ferromagnetischer Speicherung beruhender Speicherzellen umfaßt sowohl leistungsfähige Speicherzellen mit magnetoresistivem Effekt (1) mit Transistorsteuerung als auch kostengünstige Speicherzellen mit magnetoresistivem Effekt (2) mit zwischen den Wortleitungen (70) und Bitleitungen (50) geschalteten Speicherelementen (60). Die direkt zwischen Bit und Wortleitung geschalteten Speicherelement (60) werden vorzugsweise in übereinander stapelbaren Speicherzellenfeldern über den Speicherzellen (1) mit Transistor (9) eingesetzt, und erreichen dadurch eine hohe Integrationsdichte. Durch die Herstellung des aus beiden Typen bestehenden und dadurch allen Systemanforderungen genügenden Speichers in einem Baustein und in einer Prozessfolge erniedrigen sich die Herstellungskosten erheblich.
(EN) An integrated memory with an arrangement of non-volatile ferromagnetic storage based memory cells, comprising high-power memory cells having a magnetoresisitive effect (1) with transistor control, and low-cost memory cells having a magnetoresistive effect (2) with memory elements (60) connected between the word lines (70) and bit lines (50). The memory elements (60) directly connected between a bit and a word line (60) are preferably used in the form of memory cell fields which can be superposed on top of the memory cells (1) with a transistor (9), resulting in a high integration density. Production costs are reduced significantly by producing the memory, which comprises two types of cells and meets all system requirements, in a single module and single operation cycle.
(FR) L'invention concerne une mémoire intégrée comprenant un ensemble de cellules mémoires non volatiles à enregistrement ferromagnétique. Cette mémoire comporte à la fois des cellules mémoires puissantes à effet magnétorésistif (1), à commande transistorisée, et des cellules mémoires peu onéreuses à effet magnétorésistif (2), à éléments de mémoire (60) connectés entre les lignes de mots (70) et les lignes de bits (50). Les éléments de mémoire connectés directement entre les lignes de mots et les lignes de bits sont utilisés de préférence dans des champs de cellules mémoires superposables sur les cellules mémoires (1) à transistor (9), créant ainsi une densité d'intégration élevée. La fabrication en un seul module et en un seul cycle d'opérations de cette mémoire comprenant deux types de cellules et satisfaisant ainsi à toutes les exigences du système permet de réduire sensiblement les coûts de production.
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Designierte Staaten: CN, JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
KR1020030051866EP1340229JP2004514298US20030206465CN1476615