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1. (WO2002041409) SOLARZELLE UNTER VERWENDUNG EINES KONTAKTRAHMENS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/041409 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2001/004332
Veröffentlichungsdatum: 23.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 16.11.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 11.06.2002
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
042
mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen
05
gekennzeichnet durch spezielle Verbindungsteile
Anmelder:
KÖNIG, Katharina [DE/DE]; DE (AllExceptUS)
KÖNIG, Dirk [DE/DE]; DE
Erfinder:
KÖNIG, Dirk; DE
Prioritätsdaten:
100 57 297.917.11.2000DE
Titel (DE) SOLARZELLE UNTER VERWENDUNG EINES KONTAKTRAHMENS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL USING A CONTACT FRAME AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE METTANT EN OEUVRE UN CADRE DE CONTACT ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Zusammenfassung:
(DE) Solarzelle mit einem Kontaktrahmen und Verfahren zu deren HerstellungDie Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einem Kontaktrahmen, im wesentlichen bestehend aus: a) einer Halbleiterschicht (HLS) als Basismaterial, b) einer sich unmittelbar unter der Oberfläche der aktiven Halbleiterschicht (HLS) befindenden elektrisch hoch leitfähigen Halbleiterschicht (HL-HLS), einer sich auf der aktiven Halbleiterschicht (HLS) befindenden Isolatorschicht (IS), c) einer zur Halbleiterschicht (HLS) isolierten Metallschicht (MS), die über Kontakte (K) elektrisch gut leitend mit der hoch leitfähigen Halbleiterschicht (HL-HLS) verbunden ist, wobei d) die Metallschicht als Kontaktrahmen ausgebildet ist, an dem sich die Kontakte befinden Erfindungsgemäss weist die elektrisch hoch leitfähige Halbleiterschicht (HL-HLS) keine Verbindung zur Seitenfläche (SF) der Solarzelle auf. Verfahrensgemäss erfolgt dazu eine Höhenreduzierung der aktiven Halbleiterschicht (HLS), so dass die elektrisch hoch leitfähige Halbleiterschicht (HL-HLS) nicht bis zur Seitenfläche (SF) der Halbleiterschicht (HLS) reicht.
(EN) The invention relates to a solar cell with a contact frame and to a method for the production thereof. Said solar cell with a contact frame is essentially comprised of: a) a semiconductor layer (HLS) serving as base material; b) an electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) located directly beneath the surface of the active semiconductor layer (HLS), of an insulation layer (IS) located on the active semiconductor layer (HLS); c) a metal layer (MS) insulated from the semiconductor layer (HLS), connected electrically in a highly conductive manner to the highly conductive semiconductor layer (HL-HLS), by means of contacts (K), whereby; d) the metal layer is provided in the form of a contact frame, on which the contacts are located. According to the invention, the electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) has no connection to the lateral surface (SF) of the solar cell. The inventive method results in a height reduction of the active semiconductor layer (HLS) so that the electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) does not extend up to the lateral surface (SF) of the semiconductor layer (HLS).
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire comprenant un cadre de contact. Cette cellule solaire est principalement constituée : a) d'une couche semi-conductrice (HLS) servant de matériau de base, b) d'une couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS), qui se trouve immédiatement sous la surface de la couche semi-conductrice active (HLS), d'une couche isolante (IS), qui se trouve sur la couche semi-conductrice active (HLS), et c) d'une couche métallique (MS), qui est isolée par rapport à la couche semi-conductrice (HLS) et qui est connectée de manière bien électro-conductrice avec la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS), par l'intermédiaire de contacts (K), d) la couche métallique étant conçue sous forme de cadre de contact sur lequel se trouvent les contacts. Selon cette invention, la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS) ne présente aucune connexion à la surface latérale (SF) de la cellule solaire. La présente invention concerne également un procédé permettant de réduire la hauteur de la couche semi-conductrice active (HLS), de façon que la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS) n'atteigne pas la surface latérale (SF) de la couche semi-conductrice (HLS).
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
AU2002226273