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1. (WO2002041076) PHOTOLITHOGRAPHISCHE MASKE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/041076 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2001/004263
Veröffentlichungsdatum: 23.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 14.11.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 13.06.2002
IPC:
G03F 1/00 (2012.01) ,G03F 1/36 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1
Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1
Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
36
Masken mit Strukturen zur Proximity Correction; Herstellung derselben, z.B. Entwurfsprozesse (Optical Proximity Correction [OPC])
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Stasse 53 81669 München, DE
GRIESINGER, Uwe [DE/DE]; DE (UsOnly)
HENNIG, Mario [DE/DE]; DE (UsOnly)
KNOBLOCH, Jürgen [DE/DE]; DE (UsOnly)
PFORR, Rainer [DE/DE]; DE (UsOnly)
VORWERK, Manuel [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
GRIESINGER, Uwe; DE
HENNIG, Mario; DE
KNOBLOCH, Jürgen; DE
PFORR, Rainer; DE
VORWERK, Manuel; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN & FISCHER; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
100 56 262.014.11.2000DE
101 26 838.601.06.2001DE
Titel (DE) PHOTOLITHOGRAPHISCHE MASKE
(EN) PHOTOLITHOGRAPHIC MASK
(FR) MASQUE PHOTOLITHOGRAPHIQUE
Zusammenfassung:
(DE) Den auf einen Wafer zu übertragenden Öffnungen (1) auf einer Maske sind Hilfsöffnungen (2) zugeordnet. Diese besitzen eine Vorzugsweise zwischen 160° und 200° liegende phasenschiebende Eigenschaft gegenüber den Öffnungen (1), sowie einen unterhalb der Grenzdimension (31) für das Printing des Projektionsapparates liegenden Querschnitt (21), so daß die Hilfsöffnungen (2) selbst nicht auf den Wafer geprintet werden. Gleichzeitig verstärken sie aber den Kontrast des Luftbildes insbesondere einer zugeordneten isolierten oder halbisolierten Öffnung (1) auf dem Wafer. In einer Ausführungsform besitzen die Hilfsöffnungen (2) einen oberhalb der Auflösungsgrenze des Projektionsapparates liegenden Abstand von der Öffnung (1), welche aber kleiner als die Kohärenzlänge des für die Projektion benutzten Lichtes ist. Ihre Wirkung besteht in einer phasenbezogenen Ausnutzung des optischen Proximity-Effektes, welches bei Einrichtung der Hilfsöffnungen (2) in einer Vorzugsrichtung zur Erzeugung elliptischer Strukturen (1') auf einem Wafer auf quadratischen Öffnungen (1) auf der Maske ausgenutzt werden kann. Die Folge ist eine erhebliche Vergrößerung des Prozeßfensters für die Projektion, insbesondere von Substratkontaktierungsebenen auf einen Wafer.
(EN) According to the invention, auxiliary openings (2) are allocated to the openings (1) on a mask which are to be transferred onto a wafer. Said auxiliary openings have a phase shifting characteristic of preferably between 160° and 200° in relation to the openings (1), as well as a cross-section which is less than the limit dimension (31) for the printing of the projection device, so that the auxiliary openings (2) themselves cannot be printed onto the wafer. At the same time, however, they strengthen the contrast of the aerial image of an associated insulated or semi-insulated opening (1) on the wafer in particular. According to one form of embodiment, the distance of the auxiliary openings (2) from the opening (1) is greater than the resolution limit of the projection device, the opening being less than the coherence length of the light used for projection. The effect of the auxiliary openings consists of the phase-related use of the optical proximity effect. If the auxiliary openings (2) are arranged in a preferred direction, this effect can be used on quadratic openings (1) on the mask to produce elliptic structures (1') on a wafer. The result is a considerable widening of the process window for the projection of substrate contacting planes onto a wafer.
(FR) Les orifices (1) d'un masque, à transférer sur une plaquette, sont associés à des orifices auxiliaires (2). Ces derniers ont, par rapport aux orifices (1), une propriété de glissement de phase située, de préférence, entre 160° et 200°, et une section (21) inférieure à la dimension limite (31) de l'impression de l'appareil de projection de telle façon que les orifices auxiliaires (2) ne soient pas imprimés sur la plaquette. Simultanément, ils renforcent le contraste de la photographie, notamment d'un orifice isolé ou semi-isolé (1) associé sur la plaquette. Dans un mode de réalisation, les orifices auxiliaires (2) se trouvent à une certaine distance de l'orifice (1), cette distance étant supérieure de la limite de résolution de l'appareil de projection mais inférieure à la longueur de cohérence de la lumière utilisée pour la projection. Leur action consiste en une utilisation liée à la phase de l'effet de proximité optique qui, lors de l'installation des orifices auxiliaires (2), peut être appliqué aux orifices carrés (1) du masque dans une direction préférentielle pour la production de structures elliptiques (1') sur une plaquette. Il en résulte un agrandissement considérable de la fenêtre de processus pour la projection, notamment de plans de contact de substrat sur une plaquette.
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Designierte Staaten: JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
KR1020040005859EP1334406JP2004514171US20040038135JP3943020