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1. (WO2002039492) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GRABENKONDENSATOREN FÜR HOCHINTEGRIERTE HALBLEITERSPEICHER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/039492 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2001/012870
Veröffentlichungsdatum: 16.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 07.11.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 10.06.2002
IPC:
C25F 3/12 (2006.01) ,H01L 21/3063 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 29/92 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
25
Elektrolytische oder elektrophoretische Verfahren; Vorrichtungen dafür
F
Verfahren für das Elektrolytische Abtragen von Material; Vorrichtungen dafür
3
Elektrolytisches Ätzen oder Polieren
02
Ätzen
12
von Halbleitern
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3063
Elektrolytisches Ätzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
8239
Speicher-Strukturen
8242
Strukturen für dynamische RAM-Speicher [DRAM]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
86
steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials
92
Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
BIRNER, Albert [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHUMANN, Dirk [DE/DE]; DE (UsOnly)
GOLDBACH, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
BIRNER, Albert; DE
SCHUMANN, Dirk; DE
GOLDBACH, Matthias; DE
Vertreter:
GINZEL, Christian; Zimmermann & Partner Postfach 330 920 80069 München, DE
Prioritätsdaten:
100 55 712.010.11.2000DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GRABENKONDENSATOREN FÜR HOCHINTEGRIERTE HALBLEITERSPEICHER
(EN) METHOD FOR PRODUCING TRENCH CAPACITORS FOR LARGE-SCALE INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORIES
(FR) PROCEDE POUR REALISER DES CONDENSATEURS A PUITS DESTINES A DES MEMOIRES A SEMI-CONDUCTEURS A HAUTE INTEGRATION
Zusammenfassung:
(DE) Ein elektrochemisches Verfahren zur Erzeugung von Gräben für Grabenkondensatoren in p-dotiertem Silizium mit sehr hohem Durchmesser/Tiefe Aspektverhältnis für hochintegrierte Halbleiterspeicher wird beschrieben. Auf p-dotiertem Silizium mit sehr niedriger Resistivität können so Gräben (Macroporen) mit einem Durchmesser kleiner als etwa 100 nm und einer Tiefe von mehr als 10 $g(m)m bei hoher Ätzrate erzeugt und so Grabenkondensatoren auf kostengünstige Weise hergestellt werden.
(EN) The invention relates to an electrochemical method for creating trenches for trench capacitors in p-doped silicon with an extremely high diameter/depth aspect ratio for large-scale integrated semiconductor memories. Trenches (macropores) with a diameter of less than approximately 100 nm and a depth of more than 10 $g(m) can be produced at a high etch rate on p-doped silicon with an extremely low resistivity, thus obtaining trench capacitors in a cost-effective manner.
(FR) L'invention concerne un procédé électrochimique pour réaliser des puits de condensateurs dans du silicium dopé p à très haut rapport d'aspect diamètre/profondeur pour des mémoires à semi-conducteurs à haute intégration. Sur du silicium dopé p à très faible résistivité, il est ainsi possible de réaliser des puits (macropores) de diamètre inférieur à 100 nm et de profondeur supérieure à 10 $g(m)m à un rendement de gravure élevé, et de produire par conséquent des condensateurs à puits de manière peu coûteuse.
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Designierte Staaten: JP, KR, US
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
KR1020030061386JP2004514276US20030205483JP4115836