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1. (WO2002037576) HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/037576 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2001/012372
Veröffentlichungsdatum: 10.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 25.10.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 21.05.2002
IPC:
H01L 27/142 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01) ,H01L 31/048 (2006.01) ,H01L 31/052 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
142
Bauelemente zur Energie-Umwandlung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0352
gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
042
mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen
048
eingekapselt oder mit einem Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
042
mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen
052
mit Mitteln zur Kühlung, Lichtreflexion oder Lichtkonzentration
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
FUTECH GMBH [DE/DE]; Klinkebachstrasse 38 39116 Magdeburg, DE (AllExceptUS)
JÄGER, Steffen [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
JÄGER, Steffen; DE
Vertreter:
HERTZ, Oliver; V. Bezold & Sozien Akademiestrasse 7 80799 München, DE
Prioritätsdaten:
100 52 914.325.10.2000DE
Titel (DE) HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Zusammenfassung:
(DE) Es wird eine Halbleitereinrichtung mit einem Schichtaufbau aus einer Trägerschicht (2), die ein elektrisch leitfähiges Trägermaterial aufweist, einer Isolationsschicht (4), die durch elektrisch isolierendes Isolationsmaterial gebildet wird, auf der Trägerschicht (2) angeordnet ist und Halbleiterpartikel (1) enthält, und einer Deckschicht (6) beschrieben, die mindestens ein elektrisch leitfähiges Deckmaterial aufweist und auf der Isolationsschicht (4) angeordnet ist, wobei jeder Halbleiterpartikel (1) sowohl die Trägerschicht (2) als auch die Deckschicht (6) berührt und mindestens einen p-n-übergang (3, 5) bildet und das Isolationsmaterial durch mindestens eine Metalloxidverbindung gebildet wird, die zumindest teilweise ein Oxid des Trägermaterials enthält. Es werden auch Verfahren zur Herstellung der Halbleitereinrichtung beschrieben.
(EN) The invention relates to a semi-conductor device having a layered structure consisting of a carrier layer (2) which comprises an electrically conductive carrier material; an insulation layer (4) which is formed by electrically insulating insulation material, is arranged on the carrier layer (2) and contains semiconductor particles; and a covering layer (6) which comprises at least one electrically conductive cover material and is arranged on the insulating layer (4). Each semiconductor particle (1) touches both the carrier layer (2) and the covering layer (6) and forms at least one p-n-junction (3, 5). The insulating material consists of at least one metal oxide compound which at least partially contains an oxide of the carrier material. The invention also relates to methods for producing the inventive semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une structure stratifiée, constituée d'une couche de support (2), qui présente un matériau de support électroconducteur, d'une couche d'isolation (4), qui est constituée de matériau d'isolation électroisolant, est pourvue sur la couche de support (2) et contient des particules de semi-conducteur (1), et d'une couche de protection (6), qui présente au moins un matériau de protection électroconducteur et est pourvue sur la couche d'isolation (4). Chaque particule de semi-conducteur (1) touche aussi bien la couche de support (2) que la couche de protection (6) et forme au moins une jonction p-n (3, 5). Le matériau d'isolation est constitué d'au moins un composé à base d'oxyde métallique qui renferme au moins partiellement un oxyde du matériau de support. La présente invention concerne également des procédés de production dudit dispositif à semi-conducteur.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP1362379AU2002219062