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1. (WO2002037575) HALBLEITER-SPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/037575 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2001/010834
Veröffentlichungsdatum: 10.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 19.09.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 29.05.2002
IPC:
H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40
Elektroden
41
gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung
423
wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
788
mit schwebendem Gate
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
GEHRING, Oliver [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
GEHRING, Oliver; DE
Vertreter:
BARTH, Stephan Patentanwälte Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GBR; Friedrichstrasse 31 80801 München, DE
Prioritätsdaten:
100 54 172.002.11.2000DE
Titel (DE) HALBLEITER-SPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CELLULE DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(DE) Die vorliegende Erfindung schafft eine HalbleiterSpeicherzelle mit einem Halbleitersubstrat (1); einem in dem Halbleitersubstrat (1) vorgesehen Graben (5); einer in dem Graben (5) eingebrachten Floating-Gate-Elektrode (45), welche durch eine erste Isolationsschicht (50) von den Grabenwänden isoliert ist; einer in dem Halbleitersubstrat (1) um den Graben (5) herum vorgesehenen Control-Gate-Elektrode (80); einer auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) vorgesehenen zweiten Isolationsschicht (10); einer auf der zweiten Isolationsschicht (10) vorgesehen leitenden Schicht (20), welche einen Kanalbereich (35) oberhalb der Floating-Gate-Elektrode (45) bildet; und einem in der leitenden Schicht (20) jeweils neben dem Kanalbereich (35) gebildeten Sourcebereich (30) und Drainbereich (40). Die Erfindung schafft auch ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
(EN) The invention relates to a semiconductor memory cell comprising a semiconductor substrate (1); a trench (5) provided in the semiconductor substrate (1); a floating gate electrode (45) which is inserted into the trench (5) and is isolated from the walls of the trench by a first isolation layer (50); a control gate electrode (80) provided in the semiconductor substrate (1), around the trench (5); a second isolation layer (10) provided on the surface of the semiconductor substrate (1); a conductive layer which is provided on the second isolation layer (10) and forms a channel region (35) above the floating gate electrode (45); and a source region (30) and a drain region (40) which are respectively formed next to the channel region (35), in the conductive layer (20). The invention also relates to a corresponding method of production.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire à semi-conducteur, comprenant un substrat semi-conducteur (1) ; une tranchée (5) prévue dans ledit substrat (1), une électrode à grille flottante (45), insérée dans la tranchée (5), et qui est isolée des parois de la tranchée par une première couche isolante (50) ; une électrode à grille de commande (80) prévue dans le substrat (1), aux alentours de la tranchée ; une seconde couche isolante (10) prévue sur la surface du substrat (1) ; une couche conductrice (20) prévue sur la seconde couche isolante (10) et qui forme une zone en canal (35) au-dessus de l'électrode à grille flottante (45) ; et une zone source (30) et une zone de drain (40) formées dans la couche conductrice (20), chacune au voisinage de la zone en canal (35). L'invention concerne également un procédé de fabrication correspondant.
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Designierte Staaten: US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP1330845US20040071016