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1. (WO2002037557) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE INTEGRIERTE SCHALTUNG UNTER ZUMINDEST TEILWEISEM UMWANDELN EINER OXIDSCHICHT IN EINE LEITFÄHIGE SCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/037557 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2001/011076
Veröffentlichungsdatum: 10.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 25.09.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 23.05.2002
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
3105
Nachbehandlung
311
Ätzen isolierender Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768
Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52
Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522
einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
KARCHER, Wolfram [DE/DE]; DE (UsOnly)
LEHR, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
ZEILER, Dieter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
KARCHER, Wolfram; DE
LEHR, Matthias; DE
ZEILER, Dieter; DE
Vertreter:
BARTH, Stephan; Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GbR Friedrichstrasse 31 80801 München, DE
Prioritätsdaten:
100 54 936.506.11.2000DE
Titel (DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE INTEGRIERTE SCHALTUNG UNTER ZUMINDEST TEILWEISEM UMWANDELN EINER OXIDSCHICHT IN EINE LEITFÄHIGE SCHICHT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT, AT LEAST PARTIALLY TRANSFORMING AN OXIDE LAYER INTO A CONDUCTIVE LAYER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE EN TRANSFORMANT AU MOINS PARTIELLEMENT UNE COUCHE D'OXYDE EN UNE COUCHE CONDUCTRICE
Zusammenfassung:
(DE) Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung mit den Schritten Bereitstellen eines Schaltungsubstrats (1); Vorsehen von einem ersten Metallisierungsbereich (10a) und einem zweiten Metallisierungsbereich (10b) aus einem ersten Metall in dem Schaltungs substrat (1); Vorsehen einer Zwischenschicht (15) über dem ersten Metallisierungsbereich (10a) und dem zweiten Metallisierungsbereich (10b); Entfernen der Zwischenschicht (15) über dem ersten Metallisierungsbereich (10a) durch einen Ätzprozeß unter gleichzeitiger Bildung eines Oxidfilms (100) an der Oberfläche des ersten Metallisierungsbereichs (10a); und zumindest teilweises Umwandeln des Oxidfilms (100) an der Oberfläche des ersten Metallisierungsbereichs (10a), so dass eine leitende Verbindung aus dem ersten Metall durch den Oxidfilm (100) entsteht, welche einen Anschluß zum ersten Metallisierungsbereich (10a) an der Oberfläche der resultierenden Struktur bildet.
(EN) The invention relates to a method for producing an integrated circuit, comprising the following steps: a circuit substrate (1) is prepared; a first metallising area (10a) and a second metallising area (10b) consisting of a first metal are provided in the circuit substrate (1); an intermediate layer (15) is provided over the first metallising area (10a) and the second metallising area (10b); the intermediate layer (15) over the first metallising area (10a) is removed by etching, an oxide film (100) being simultaneously formed on the surface of the first metallising area (10a); and the oxide film (100) on the surface of the first metallising area (10a) is at least partially transformed so that a conductive compound is created from the first metal, by means of the oxide film (100), forming a connection to the first metallising area (10a) on the surface of the resulting structure.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré, comprenant les opérations suivantes : disposer d'un substrat pour le circuit (1); prévoir une première zone de métallisation (10a) et une deuxième zone de métallisation (10b) constituées d'un premier métal, dans le substrat pour circuit (1); prévoir une couche intermédiaire (15) sur la première zone de métallisation (10a) et la deuxième zone de métallisation (10b); enlever par morsure la couche intermédiaire (15) sur la première zone de métallisation (10a) et former simultanément un film d'oxyde (100) à la surface de la première zone de métallisation (10a); transformer au moins partiellement le film d'oxyde (100) à la surface de la première zone de métallisation (10a), de manière à créer une liaison conductrice à partir du premier métal, à travers le film d'oxyde (100), cette liaison constituant un raccord avec la première zone de métallisation (10a) à la surface de la structure ainsi obtenue.
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Designierte Staaten: JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
US20040048473