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1. (WO2002037549) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER SILIZIUMOXID-SCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/037549 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2001/012538
Veröffentlichungsdatum: 10.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 30.10.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 29.05.2002
IPC:
H01L 21/311 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
3105
Nachbehandlung
311
Ätzen isolierender Schichten
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 2881 Scott Boulevard Santa Clara, CA 95050, US (AllExceptUS)
GOLDBACH, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
HAUSSDÖRFER, Bastian [DE/DE]; DE (UsOnly)
GRAHL, Ortrun [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
GOLDBACH, Matthias; DE
HAUSSDÖRFER, Bastian; DE
GRAHL, Ortrun; DE
Vertreter:
GINZEL, Christian ; Zimmermann & Partner Postfach 330 920 80069 München, DE
Prioritätsdaten:
100 53 780.430.10.2000DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER SILIZIUMOXID-SCHICHT
(EN) METHOD FOR STRUCTURING A SILICON OXIDE LAYER
(FR) PROCEDE POUR STRUCTURER UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Strukturieren einer Siliziumoxid-Schicht, bei dem ein Substrat, das eine Siliziumoxid-Schicht mit Maske umfasst, in einem Plasmareaktor bereitgestellt wird. Die Siliziumoxidschicht wird einem Plasma ausgesetzt, das aus einem Ätzgas, das zumindest eine Fluorkohlenstoffverbindung ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Verbindungen der Summenformel CxHyFz, wobei x = 1 bis 5, y = 0 bis 4 und z = 2 bis 10 ist, umfasst, erzeugt wird. Dabei wird durch Variation der Potentialdifferenz zwischen dem Substrat und dem Plasma unmittelbar zwischen Ätzmodus und Abscheidemodus gewechselt, wodurch eine Prozessoptimierung stattfindet.
(EN) The invention relates to a method for structuring a silicon oxide layer. According to said method, a substrate comprising a silicon oxide layer with a mask is provided in a plasma reactor. The silicon oxide layer is exposed to a plasma which is produced from an etching gas containing at least one fluorocarbon compound that is selected from the group consisting of compounds of the empirical formula CxHyFz, wherein x = 1 to 5, y = 0 to 4 and z = 2 to 10. The process is optimised by direct switching between the etching and deposition modes, which is achieved by varying the potential difference between the substrate and the plasma.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour structurer une couche d'oxyde de silicium. Selon ce procédé, un substrat comprenant une couche d'oxyde de silicium pourvue d'un masque est placé dans un réacteur à plasma. La couche d'oxyde de silicium est exposée à un plasma qui est produit à partir d'un gaz de gravure comprenant au moins un composé fluorocarboné choisi dans le groupe des composés de formule brute CxHyFz, où x = 1 à 5, y = 0 à 4 et z = 2 à 10. Le processus peut être optimisé au moyen d'une commutation directe entre un mode de gravure et un mode de dépôt, commutation réalisée par variation de la différence de potentiel entre le substrat et le plasma.
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Designierte Staaten: US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)