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1. (WO2002035605) VERFAHREN ZUM BILDEN VON KONTAKTEN IN INTEGRIERTEN SCHALTUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/035605 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2001/010833
Veröffentlichungsdatum: 02.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 19.09.2001
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768
Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-strasee 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
LAHNOR, Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
WEGE, Stephan [DE/DE]; DE (UsOnly)
ROGALLI, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
LAHNOR, Peter; DE
WEGE, Stephan; DE
ROGALLI, Michael; DE
Vertreter:
BARTH, Stephan; Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GbR Friedrichstrasse 31 80801 München, DE
Prioritätsdaten:
100 53 467.827.10.2000DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM BILDEN VON KONTAKTEN IN INTEGRIERTEN SCHALTUNGEN
(EN) METHOD FOR FORMING CONTACTS IN INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCEDE POUR FORMER DES CONTACTS DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Bilden von Kontakten in integrierten Schaltungen mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrates (10) mit einer darüber befindlichen isolierenden Schicht (15), in der ein Kontakt aus einem Kontaktlochmaterial zu bilden ist; Vorsehen einer Hartmaskenschicht (20) über der isolierenden Schicht (15); Strukturieren einer Öffnung (35) in der Hartmaskenschicht (20) gemäss dem zu bildenen Kontakt; Vorsehen einer Spacerschicht (40) in der Öffnung (35) zum Bilden einer Öffnung (35') mit verringertem Durchmesser; Ätzen eines kontaktlochs (45) mittels der Öffnung (35') mit verringertem Durchmesser; Aufbringen einer Linerschicht (50) über der resultiertenden Struktur; Aufbringen einer Schicht (60) aus dem Kontaktmaterial über der Linerschicht (50) derart, dass das Kontaktloch gefüllt und die Umgebung davon bedeckt wird; und chemisch-mechanisches Polieren der resultierenden Struktur zum Entfernen der Schicht (60) aus dem Kontaktmaterial, der Linerschicht (50), der Spacerschicht (40) und der Hartmaskenschicht (20) ausserhalb des Kontaktlochs (45).
(EN) The invention relates to a method for forming contacts in integrated circuits, comprising the following steps: provision of a substrate (10) covered by an insulating layer (15) wherein a contact is to be formed from a contact hole material; a hard mask layer (20) is placed on top of the insulating layer (15); an opening (35) is structured in the hard mask layer (20) according to the contact to be formed; a spacer layer (40) is provided in the opening (35) in order to form an opening (35') with a reduced diameter; a contact hole (45) is etched via the opening (35') having a reduced diameter; a liner layer (50) is placed on top of the resulting structure; a layer (60) of the contact material is placed on top of the liner layer (50) in such a way that the contact hole is filled and the surrounding area is covered; the resulting structure is chemically and mechanically polished in order to remove the layer (60) of the contact material, the liner layer (50), spacer layer (40) and hard mask layer (20) from the contact hole (45).
(FR) L'invention concerne un procédé pour former des contacts dans des circuits intégrés, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : mise à disposition d'un substrat (10) recouvert d'une couche isolante (15) dans laquelle doit être formé un contact à partir d'un matériau de trou de contact ; mise en place d'une couche de masquage rigide (20) sur la couche isolante (15) ; structuration d'une ouverture (35) dans la couche de masquage rigide (20) conformément au contact à former ; application d'une couche d'espacement (40) dans l'ouverture (35) pour former une ouverture (35') présentant un diamètre réduit ; formation par attaque d'un trou de contact (45) au moyen de l'ouverture (35') de diamètre réduit ; application d'une couche de revêtement (50) sur la structure obtenue ; application d'une couche (60) constitué du matériau de contact sur la couche de recouvrement (50) de façon à remplir le trou de contact et à recouvrir la zone entourant ce dernier ; et polissage chimico-mécanique de la structure obtenue pour retirer du trou de contact (45) la couche (60) constituée du matériau de contact, de la couche de contact (50), de la couche d'espacement (40) et de la couche de masquage rigide (20).
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Designierte Staaten: JP, KR, SG, US
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)