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1. (WO2002035600) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DMOS-TRANSISTORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2002/035600 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2001/012035
Veröffentlichungsdatum: 02.05.2002 Internationales Anmeldedatum: 17.10.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 27.05.2002
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
336
mit einem isolierten Gate
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
MUELLER, Karlheinz [DE/DE]; DE (UsOnly)
WAGNER, Cajetan [DE/DE]; DE (UsOnly)
ROESCHLAU, Klaus [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
MUELLER, Karlheinz; DE
WAGNER, Cajetan; DE
ROESCHLAU, Klaus; DE
Vertreter:
GINZEL, Christian ; Zimmermann & Partner Postfach 330 920 80069 München, DE
Prioritätsdaten:
100 53 428.727.10.2000DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DMOS-TRANSISTORS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A DMOS TRANSISTOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR DMOS
Zusammenfassung:
(DE) Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur Herstellung einer DMOS-Transistorstruktur bereitgestellt. Die Erfindung besitzt den Vorteil, dass durch die Verwendung einer Schutzschicht (14) die bereits im wesentlichen fertiggestellte DMOS-Transistorstruktur vor den negativen Auswirkungen von weiteren Prozessschritten geschützt ist. Erfindungsgemäss wird die DMOS-Gateelektrode nicht wie im Stand der Technik üblich mit einem einzigen Lithographieschritt strukturiert sondern die Strukturierung der DMOS-Gateelektrode wird auf zwei Lithographieschritte aufgeteilt. In einem ersten Lithographieschritt wird im wesentlichen nur das Sourcegebiet (9) der DMOS-Transistorstruktur geöffnet. Die noch vorhanden Elektrodenschicht kann somit als Maske für die nachfolgende Herstellung des Body-Gebiets (8) eingesetzt werden.
(EN) The invention relates to a method for producing a DMOS transistor structure. The invention is advantageous in that a protective layer (14) is used to protect the already essentially completed DMOS transistor structure from the negative effects of additional process steps. According to the invention, the DMOS gate electrode is not customarily structured, as in the prior art, by using a single lithography step, rather the structuring of the DMOS gate electrode is split between two lithography steps. In a first lithography step, essentially only the source region (9) of the DMOS transistor structure is opened, whereby the electrode layer still present can be used as a mask for the subsequent production of the body region (8).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de transistor DMOS. De manière avantageuse, l'utilisation d'une couche de protection (14) permet de protéger la structure de transistor DMOS quasiment finie contre les effets d'étapes de procédé ultérieures. Selon l'invention, l'électrode de grille DMOS n'est pas structurée en une seule étape lithographique comme dans l'état antérieur de la technique, mais la structuration de l'électrode de grille DMOS est divisée en deux étapes lithographiques. Au cours d'une première étape lithographique, on n'ouvre quasiment que la zone source (9) de la structure de transitor DMOS. Ainsi, la couche d'électrode encore présente peut servir de masque pour la fabrication consécutive de la zone corps (8).
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Designierte Staaten: CN, JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
KR1020030038808EP1328970JP2004512694US20030190778CN1471729