WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2002033728) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ÄTZEN EINES SUBSTRATES MITTELS EINES INDUKTIV GEKOPPELTEN PLASMAS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2002/033728    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2001/001031
Veröffentlichungsdatum: 25.04.2002 Internationales Anmeldedatum: 17.03.2001
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US)
Erfinder: BREITSCHWERDT, Franz; (DE).
BECKER, Volker; (DE).
LAERMER, Franz; (DE).
SCHILP, Andrea; (DE)
Prioritätsdaten:
100 51 831.1 19.10.2000 DE
Titel (DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ÄTZEN EINES SUBSTRATES MITTELS EINES INDUKTIV GEKOPPELTEN PLASMAS
(EN) DEVICE AND METHOD FOR THE ETCHING OF A SUBSTRATE BY MEANS OF AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LA GRAVURE D'UN SUBSTRAT AU MOYEN D'UN PLASMA A COUPLAGE INDUCTIF
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird eine Vorrichtung (5) und ein mit dieser Vorrichtung (5) betriebenes Verfahren zum Ätzen eines Substrates (10), insbesondere eines Siliziumkörpers, mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas (14) vorgeschlagen, wobei mit einer ICP-Quelle (13) ein hochfrequentes elektromagnetisches Wechselfeld generiert wird, das in einem Reaktor (15) ein induktiv gekoppeltes Plasma (14) aus reaktiven Teilchen durch Einwirken des hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfeldes auf ein Reaktivgas erzeugt. Weiterhin ist vorgesehen, dass zwischen dem Substrat (10) und der ICP-Quelle (13) ein statisches oder zeitlich variierendes Magnetfeld erzeugt wird, wozu mindestens zwei, übereinander angeordnete Magnetfeldspulen (21, 21') vorgesehen sind. Die Richtung des so erzeugten Magnetfeldes ist zudem näherungsweise parallel zu der durch die Verbindungslinie von Substrat (10) und induktiv gekoppeltem Plasma (14) definierten Richtung. Schließlich ist vorgesehen, dass mit einer ersten Magnetfeldspule (21') ein erstes Teilmagnetfeld (B) und mit einer zweiten Magnetfeldspule (21) ein zweites, insbesondere an einem äquivalenten Ort gleich starkes Teilmagnetfeld (-B) erzeugt wird, die einander entgegen gerichtet sind.
(EN)A device (5) and a method performed with said device (5), for the etching of a substrate (10), in particular a silicon body, by means of an inductively coupled plasma (14) is disclosed, whereby a high-frequency electromagnetic alternating field is generated, by means of an ICP source (13). An inductively coupled plasma (14) is generated in a reactor (15), by means of the effect of the high-frequency electromagnetic alternating field on a reactive gas. A static magnetic field, or one that varies with time, is generated between the substrate (10) and the ICP source (13), whereby at least two magnetic field coils (21, 21'), arranged one over the other, are provided. The direction of the magnetic field thus produced is approximately parallel to the direction defined by the line connecting the substrate (10) and the inductively coupled plasma (14). Furthermore, a first partial magnetic field (B) is generated by a first magnetic field coil (21') and a second magnetic field (-B), in particular a field with the same partial magnetic field strength in an equivalent location is generated, which are in opposed directions.
(FR)L'invention concerne un dispositif (5) et un procédé mis en oeuvre avec ce dispositif (5) pour graver un substrat (10), en particulier un corps de silicium, au moyen d'un plasma à couplage inductif (ICP) (14). Selon cette invention, un champ alternatif électromagnétique haute fréquence est généré à l'aide d'une source ICP (13). Un plasma à couplage inductif (14) de particules réactives est produit dans un réacteur (15) par l'effet du champ alternatif électromagnétique haute fréquence sur un gaz réactif. Un champ magnétique statique ou variable dans le temps est produit entre le substrat (10) et la source ICP (13), au moins deux bobines de champ magnétique (21, 21') étant agencées l'une au-dessus de l'autre. La direction du champ magnétique ainsi produit est approximativement parallèle à la direction définie par la ligne de jonction du substrat (10) et du plasma à couplage inductif (14). En outre, un premier champ magnétique partiel (B), produit avec une première bobine de champ magnétique (21'), et un deuxième champ magnétique partiel (-B) en particulier de même intensité sur un lieu équivalent, produit avec une deuxième bobine de champ magnétique (21), sont orientés dans des directions opposées.
Designierte Staaten: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)