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1. (WO2002027078) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN VON INSBESONDERE KRISTALLINEN SCHICHTEN, GASEINLASSORGAN SOWIE VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2002/027078    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2001/010078
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2002 Internationales Anmeldedatum: 31.08.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    06.03.2002    
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Anmelder: AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17, 52072 Aachen (DE) (For All Designated States Except US).
STRAUCH, Gerd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
REINHOLD, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STRAUCH, Gerd; (DE).
REINHOLD, Markus; (DE)
Vertreter: GRUNDMANN, Dirk; c/o Rieder & Partner, Corneliusstrasse 45, 42329 Wuppertal (DE)
Prioritätsdaten:
100 47 562.0 22.09.2000 DE
100 64 944.0 23.12.2000 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN VON INSBESONDERE KRISTALLINEN SCHICHTEN, GASEINLASSORGAN SOWIE VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS
(EN) METHOD FOR DEPOSITING, IN PARTICULAR, CRYSTALLINE LAYERS, A GAS INLET ELEMENT, AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD
(FR) PROCEDE POUR DEPOSER NOTAMMENT DES COUCHES CRISTALLINES, DISPOSITIF D'ENTREE DE GAZ ET DISPOSITIF POUR METTRE LEDIT PROCEDE EN OEUVRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten auf insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten, wobei zumindest zwei Prozessgase getrennt voneinander in eine Prozesskamer (1) eines Reaktors eingeleitet werden, wobei das erste Prozessgas durch eine zentrale Leitung (2) mit einer zentralen Austrittsöffnung (3) und das zweite Prozessgas durch eine dazu periphere Leitung mit peripherer Austrittsöffnung strömt, wobei das zweite Prozessgas durch ein oder mehrere Zuleitungen (5) in eine Mischkammer (4) und durch weitere, den Gasstrom beeinflussende Mittel zur Homogenisierung des Radialströmungsprofils des aus der peripheren Austrittsöffnung austretenden Prozessgases strömt. Zwecks Erzielung eines homogenen Radialströmungsprofils mit einfachen Mitteln schlägt die Erfindung vor, dass das zweite Prozessgas durch ein der Mischkammer (4) nachgeordnetes Strömungsbeeinflussungsorgan insbesondere in Form einer Ringdrossel (7) oder eines Drallerzeugers und durch eine diesem nachgeordnete ringförmige Vorkammer strömt und durch einen gasdurchlässigen Gasauslassring (6) austritt.
(EN)The invention relates to a method and to a device for carrying out the method for depositing, in particular, crystalline layers on substrates that are also, in particular, crystalline. According to the invention, at least two process gases are introduced separate from one another into a process chamber (1) of a reactor, whereby the first process gas flows through a central line (2) having a central outlet opening (3), and the second process gas flows through a line, which is peripheral thereto and which has a peripheral outlet opening. The second process gas flows through one or more supply lines (5) and into a mixing chamber (4) and flows through additional means, which influence the gas stream and which are provided for homogenizing the radial flow profile of the process gas exiting the peripheral outlet opening. The aim of the invention is to obtain a homogeneous radial flow profile by using simple means. To this end, the invention provides that the second process gas flows through a flow influencing element, which is situated downstream from the mixing chamber (4) and which is provided, in particular, in the form of an annular throttle (7) or of a turbulence generator, and flows through an annular pre-chamber situated downstream therefrom, after which said second process gas exits through a gas-permeable gas outlet ring (6).
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé pour déposer notamment des couches cristallines sur des substrats, eux aussi notamment cristallins. Au moins deux gaz de traitement sont introduits séparément l'un de l'autre dans la chambre de traitement (1) d'un réacteur. Le premier gaz de traitement s'écoule à travers une conduite centrale (2) comportant une ouverture de sortie (3) et le second gaz de traitement s'écoule à travers une conduite périphérique munie d'une ouverture de sortie périphérique. Le second gaz de traitement s'écoule à travers une ou plusieurs conduites d'amenée (5) dans une chambre de mélange (4) et à travers d'autres moyens influant sur le flux gazeux, pour homogénéiser le profil d'écoulement radial du gaz de traitement sortant de l'ouverture de sortie périphérique. L'invention vise à obtenir un profil d'écoulement radial homogène avec des moyens simples. A cet effet, il est prévu selon l'invention que le second gaz de traitement s'écoule à travers un dispositif influant sur l'écoulement monté en aval de la chambre de mélange (4) et se présentant notamment sous forme d'élément d'étranglement annulaire (7) ou de générateur de tourbillonnement et à travers une préchambre annulaire montée en aval dudit dispositif et que ledit second gaz sorte par une bague de sortie de gaz perméable aux gaz.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)