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1. (WO2002027074) VERFAHREN ZUR SELEKTIVEN METALLISIERUNG DIELEKTRISCHER MATERIALIEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2002/027074    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2001/010935
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2002 Internationales Anmeldedatum: 21.09.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    19.04.2002    
IPC:
C23C 18/16 (2006.01), C25D 5/02 (2006.01), C25D 5/54 (2006.01), C25D 5/56 (2006.01), H05K 3/18 (2006.01)
Anmelder: ENTHONE-OMI (DEUTSCHLAND) GMBH [DE/DE]; Merscheider Busch 7, 42699 Solingen (DE) (For All Designated States Except US).
LPKF LASER & ELECTRONICS AG [DE/DE]; Osteriede 7, 30827 Garbsen (DE) (For All Designated States Except US).
HUPE, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KRONENBERG, Walter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KICKELHAIN, Jörg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEIER, Dieter, J. [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HUPE, Jürgen; (DE).
KRONENBERG, Walter; (DE).
KICKELHAIN, Jörg; (DE).
MEIER, Dieter, J.; (DE)
Vertreter: STENGER, WATZKE & RING; Kaiser-Friedrich-Ring 70, 40547 Düsseldorf (DE)
Prioritätsdaten:
00120884.2 26.09.2000 EP
Titel (DE) VERFAHREN ZUR SELEKTIVEN METALLISIERUNG DIELEKTRISCHER MATERIALIEN
(EN) METHOD FOR SELECTIVELY METALLIZING DIELECTRIC MATERIALS
(FR) PROCEDE DE METALLISATION SELECTIVE DE MATERIAUX DIELECTRIQUES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung umfasst ein Verfahren zur selektiven Metallisierung von dielektrischen Materialien. Dabei wird erfindungsgemäss eine Aktivierungsschicht aus leitendem Material auf das Dielektrikum aufgebracht, die anschliessend durch eine Laserbehandlung strukturiert wird, wodurch ein Verbund aus diskret leitenden Strukturen entsteht, der anschliessend elektrolytisch metallisiert werden kann. Das erfindungsgemässe Verfahren findet insbesondere bei der Herstellung von Elektronikelementen, wie z.B. Leiterplatten Anwendung. Durch das erfindungsgemässe Verfahren ist eine präzise Strukturierung im Bereich weniger $g(m)m möglich, was zu einer hohen Anordnungsdichte und hohen Qualität der durch das erfindungsgemässe Verfahren erzeugten Leiterbahnen führt.
(EN)The invention relates to a method for selectively metallizing dielectric materials. To this end, the invention provides that an activation layer made of a conductive material is applied to the dielectric and is subsequently structured by a laser treatment, whereby resulting in the provision of a composite of discretely conductive structures, which can be electrolytically metallized afterwards. The inventive method is particularly used in the production of electronics elements, for example, printed circuit boards. Said method enables a precise structuring in dimensions less than $g(m)m, thus leading to a high density of configuration and a high quality of the conductor tracks, which are produced by using the aforementioned method.
(FR)L'invention concerne un procédé de métallisation sélective de matériaux diélectriques. Selon l'invention, une couche d'activation constituée d'un matériau conducteur est appliquée sur le diélectrique puis structurée par traitement au laser, ce qui permet d'obtenir un ensemble de structures à conduction discrète qui peut ensuite être métallisé de façon électrolytique. Le procédé selon l'invention peut en particulier être mis en oeuvre dans la production d'éléments électroniques, par exemple de cartes à circuits imprimés. Le procédé présenté permet une structuration précise dans une plage de valeurs inférieures au $g(m)m, et donc l'obtention d'une densité élevée et d'une qualité élevée des pistes conductrices ainsi réalisées.
Designierte Staaten: CA, CZ, JP, KR, US.
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)