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1. (WO2002026906) VERFAHREN ZUM CHEMISCH-MECHANISCHEN POLIEREN VON SCHICHTEN AUS METALLEN DER PLATINGRUPPE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2002/026906    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2001/011071
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2002 Internationales Anmeldedatum: 25.09.2001
IPC:
C09G 1/02 (2006.01), C23F 3/00 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHONOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BEITEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SAENGER, Annette [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MAINKA, Gerd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHNABEL, Rainer, Florian [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BEITEL, Gerhard; (DE).
SAENGER, Annette; (DE).
MAINKA, Gerd; (DE).
SCHNABEL, Rainer, Florian; (DE)
Vertreter: GINZEL, Christian; Zimmermann & Partner, Postfach 330 920, 80069 München (DE)
Prioritätsdaten:
100 48 477.8 29.09.2000 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM CHEMISCH-MECHANISCHEN POLIEREN VON SCHICHTEN AUS METALLEN DER PLATINGRUPPE
(EN) METHOD FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF LAYERS MADE FROM METALS FROM THE PLATINUM GROUP
(FR) PROCEDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE DE COUCHES EN METAL DU GROUPE DU PLATINE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Schichten aus Metallen der Gruppe der Platinmetalle, insbesondere Iridium. In dem CMP-Verfahren werden unter Verwendung einer Polierflüssigkeit, die 1 bis 6 Gew.-% abrasiver Partikel, 2 bis 20 Gew.-% zumindest eines Oxidationsmittels ausgewählt aus der Gruppe umfassend Cer-(IV)-Salze, Salze der Chlorsäure, Salze der Peroxodischwefelsäure und Wasserstoffperoxid sowie dessen Salze und 97 bis 74 Gew.-% Wasser beinhaltet, hohe Abtragungsraten für Iridium und eine hohe Selektivität gegenüber Siliziumoxid erreicht. Dies ermöglicht die Strukturierung von Iridiumschichten mit Hilfe einer Oxidmaske und einem CMP-Prozess.
(EN)The invention relates to a method for chemical-mechanical polishing of layers made from metal from the platinum group, particularly iridium. The CMP method functions with the aid of an abrasive liquid which contains 1 - 6 wt. % of abrasive particles, 2 - 20 wt.- % of at least one oxidation agent selected form the group comprising cer-(IV)-salt, salts of chlorine acid, salts of peroxydisulfuric acid and hydrogen peroxide in addition to the salts thereof and 97 - 74 wt. % of water. Said method allows a high degradation rate of iridium and high selectivity in relation to silicon oxide to be obtained. This enables the structuring of iridium layers with the aid of an oxide mask and a CMP process.
(FR)Procédé de polissage chimico-mécanique de couches en métal du groupe du platine, en particulier en iridium. Ce procédé de polissage chimico-mécanique est mis en oeuvre à l'aide d'un liquide de polissage qui contient 1 à 6 % en poids de particules abrasives, 2 à 20 % en poids d'au moins un agent d'oxydation choisi dans le groupe constitué par des sels de cérium (IV), des sels de l'acide chlorique, des sels de l'acide peroxodisulfurique et du peroxyde d'hydrogène ainsi que ses sels, et 97 à 74 % en poids d'eau. Ledit procédé permet d'obtenir des taux d'élimination élevés de l'iridium et une haute sélectivité pour l'oxyde de silicium. Cela permet la structuration de couches d'iridium à l'aide d'un masque d'oxyde et d'un processus de polissage chimico-mécanique.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)