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1. (WO2001091195) LUMINESZENZDIODENCHIP MIT EINER AUF GAN BASIERENDEN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN EPITAXIESCHICHTENFOLGE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2001/091195    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2001/002010
Veröffentlichungsdatum: 29.11.2001 Internationales Anmeldedatum: 28.05.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    27.12.2001    
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JACOB, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUGAUER, Hans-Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MUNDBROD-VANGEROW, Manfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HAHN, Berthold; (DE).
JACOB, Ulrich; (DE).
LUGAUER, Hans-Jürgen; (DE).
MUNDBROD-VANGEROW, Manfred; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN & FISCHER; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
100 26 254.6 26.05.2000 DE
Titel (DE) LUMINESZENZDIODENCHIP MIT EINER AUF GAN BASIERENDEN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN EPITAXIESCHICHTENFOLGE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) LIGHT-EMITTING-DIODE CHIP COMPRISING A SEQUENCE OF GAN-BASED EPITAXIAL LAYERS WHICH EMIT RADIATION, AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) PUCE DE DIODE ELECTROLUMINESCENTE DOTEE D'UNE SUITE DE COUCHES EPITAXIALES EMETTANT DES RAYONNEMENTS ET BASEES SUR GAN, ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Lumineszenzdiodenchip (1) mit einer auf GaN basierenden strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge (3), die eine aktive Zone (19), eine n-dotierte (4) und eine p-dotierte Schicht (5) aufweist. Die p-dotierte Schicht (5) ist auf der von der aktiven Zone (19) abgewandten Hauptfläche (9) mit einer reflektierenden Kontaktmetallisierung (6) versehen, die eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (15) und eine reflektierende Schicht (16) aufweist. Es sind Verfahren zum Herstellen solcher Lumineszenzdiodenchips in Dünnfilmtechnik angegeben, sowie Lumineszenzdiodenbauelemente mit solchen Lumineszenzdiodenchips.
(EN)The invention relates to a light-emitting-diode chip (1) comprising a sequence of GaN-based epitaxial layers (3) which emit radiation, said layers having an active zone (19), an n-doped layer (4) and a p-doped layer (5). The p-doped layer (5) is provided with a reflective contact metallization (6) on its principal surface (9) which faces away from the active zone (19), said metallization comprising a contact layer (15) that is transparent to radiation and a reflective layer (16). The invention also relates to methods for producing light emitting diodes of this type using a thin-film technique and to light-emitting-diode components comprising light-emitting-diode chips of this type.
(FR)L'invention concerne une puce de diode électroluminescente (1) comportant une suite de couches épitaxiales (3) émettant des rayonnements et basées sur GaN, ces couches présentant une zone active (19), une couche dotée n (4) et une couche dotée p (5). La couche dotée p (5), disposée sur la face principale (9) opposée à la zone active (19), est dotée d'une métallisation de contact (6) réfléchissante, comprenant elle-même une couche de contact (15) radiotransparente et une couche réfléchissante (16). L'invention concerne également des procédés de fabrication de telles puces de diode électroluminescente selon la technique des couches minces, ainsi que des éléments de diode électroluminescente dotés de ces puces.
Designierte Staaten: CA, CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)