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1. (WO2001085601) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN UND VERSCHLIESSEN EINES HOHLRAUMES FÜR MIKROBAUELEMENTE ODER MIKROSYSTEME
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2001/085601    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2001/004977
Veröffentlichungsdatum: 15.11.2001 Internationales Anmeldedatum: 03.05.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    19.11.2001    
IPC:
B81B 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Stasse 53 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
MAIER-SCHNEIDER, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WINKLER, Bernhard [AT/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MAIER-SCHNEIDER, Dieter; (DE).
WINKLER, Bernhard; (DE)
Vertreter: BARTH, Stephan; Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GbR Postfach 44 01 51 80750 München (DE)
Prioritätsdaten:
100 22 266.8 08.05.2000 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN UND VERSCHLIESSEN EINES HOHLRAUMES FÜR MIKROBAUELEMENTE ODER MIKROSYSTEME
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION AND SEALING OF A CAVITY FOR MICROCOMPONENTS OR MICROSYSTEMS
(FR) PROCEDE DE FORMATION ET D"OBTURATION D"UN VOLUME CREUX POUR MICROCOMPOSANTS OU MICROSYSTEMES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen und Verschließen eines Hohlraumes für Mikrobauelemente oder Mikrosysteme, bei dem zunächst auf einem Substrat (12) eine Opferschicht und dann eine substratnahe Deckelschicht (16) abgeschieden werden. In die Deckelschicht (16) werden substratnahe Durchgangsöffnungen (18) geätzt. Danach werden eine Zwischenschicht (24) und eine substratferne Deckelschicht (26) abgeschieden, in welche zu den substratnahen Durchgangsöffnungen (18) seitlich versetzte (V) substratferne Durchgangsöffnungen (32) eingebracht werden. Anschließend wird in einem nasschemischen Ätzprozess ein Ätzkanal (112) im Bereich der Zwischenschicht (24) freigelegt und ein Hohlraum (34) in die Opferschicht geätzt. Ein einfacher und wirkungsvoller Verschluss des Hohlraumes (34) wird durch eine Verschlussschicht (50) gewährleistet.
(EN)The invention relates to a method for the production and sealing of a cavity for microcomponents or microsystems, whereby, firstly, a sacrificial layer is deposited on a substrate (12) and then a cover layer (16) is deposited close to the substrate. Openings (18) are then etched in the cover layer (16). An intermediate layer (24) and a cover layer (26) remote from the substrate are then deposited, in which openings (32), remote from the substrate are generated, laterally displaced (V) in relation to the openings (18) close to the substrate. A wet chemical etching process is then used to open an etching channel (112) in the region of the intermediate layer (24) and a cavity (34) etched in the sacrificial layer. Finally, a simple and effective sealing of the cavity (34) is guaranteed by means of a sealing layer (50).
(FR)L"invention concerne un procédé de formation et d"obturation d"un volume creux pour microcomposants ou microsystèmes, consistant à déposer, en premier lieu, sur un substrat (12), une couche sacrificielle, puis une couche de recouvrement (16) voisine du substrat. Dans la couche de recouvrement (16) sont gravées des ouvertures traversantes (18) voisines du substrat. Une couche intermédiaire (24) et une couche de recouvrement éloignée du substrat (26) sont ensuite déposées, couches dans lesquelles sont introduites des ouvertures traversantes (18) voisines du substrat et des ouvertures traversantes (32) éloignées du substrat, décalées latéralement (V). Ensuite, dans un processus d"attaque chimique par voie humide, un canal gravé (112) est libéré dans la couche intermédiaire (24) et un volume creux (34) est gravé dans la couche sacrificielle. Le procédé selon l"invention garantit ainsi, par une couche d"obturation (50), une obturation simple et efficace du volume creux (34).
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)