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1. (WO2001067498) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS MIT SEITENWANDOXIDATION
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2001/067498    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2001/000628
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2001 Internationales Anmeldedatum: 16.02.2001
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
LANGHEINRICH, Wolfram [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WURZER, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LANGHEINRICH, Wolfram; (DE).
WURZER, Helmut; (DE)
Vertreter: KINDERMANN, Peter; Karl-Böhm-Strasse 1, 85598 Baldham (DE)
Prioritätsdaten:
100 11 885.2 07.03.2000 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS MIT SEITENWANDOXIDATION
(EN) METHOD FOR PRODUCING A FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SIDE WALL OXIDATION
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP AVEC OXYDATION DES PAROIS LATERALES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Seitenwandoxidation, bei dem insbesondere durch Implantieren von Isolationsschicht-Wachstumshemmern (x) und einem nachfolgenden thermischen Ausbilden einer Thermo-Isolationsschicht (5) an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats (1) und an den Seitenwänden eines Gate-Stapels (GS) unterschiedlich dicke Isolationsschichten (dh, dv) ausgebildet werden. Insbesondere die Zuverlässigkeit einer Gate-Isolationsschicht (2) und eine Ladungshalteeigenschaft des Feldeffekttransistors lassen sich dadurch wesentlich verbessern.
(EN)The invention relates to a method for producing a field effect transistor with side wall oxidation. According to said method, isolation layers (dh, dv) of differing thicknesses are formed, in particular by the implantation of isolation layer growth-inhibitors (x) and by the subsequent thermal formation of a thermal isolation layer (5) on the surface of a semiconductor substrate (1) and on the side walls of a gate stack (GS). In particular, the reliability of a gate isolation layer (2) and a retention characteristic of the field effect transistor are substantially improved by said method.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un transistor à effet de champ avec oxydation des parois latérales, selon lequel des couches isolantes (dh, dv) de différentes épaisseurs sont formées notamment par l'implantation d'inhibiteurs de croissance de couche isolante (x) et la formation thermique ultérieure d'une couche d'isolation thermique (5) sur la surface d'une tranche (1) et sur les parois latérales d'une pile grille (GS). On obtient ainsi une nette amélioration notamment de la fiabilité d'une couche isolante de grille (2) et d'une propriété de rétention de charge du transistor à effet de champ.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)