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1. (WO2001065613) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTABSTRAHLENDEN HALBLEITERKÖRPERS MIT LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2001/065613    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2001/000798
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2001 Internationales Anmeldedatum: 02.03.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    25.09.2001    
IPC:
C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/80 (2006.01), H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
BOGNER, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
DEBRAY, Alexandra [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WAITL, Günther [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BOGNER, Georg; (DE).
DEBRAY, Alexandra; (DE).
WAITL, Günther; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Prioritätsdaten:
100 10 638.2 03.03.2000 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTABSTRAHLENDEN HALBLEITERKÖRPERS MIT LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT
(EN) METHODS FOR PRODUCING A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR BODY WITH A LUMINESCENCE CONVERTER ELEMENT
(FR) PROCEDE DE REALISATION D"UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR EMETTEUR DE LUMIERE AVEC UN ELEMENT DE CONVERSION DE LUMINESCENCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt zwei Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei denen ein Lumineszenzkonversionselement direkt auf den Halbleiterkörper (1) aufgebracht ist. Bei dem ersten Verfahren wird eine Suspension (4), die einen Haftvermittler und mindestens einen Leuchtstoff (5) enthält, schichtartig auf den Halbleiterkörper (1) aufgebracht. Im nächsten Schritt entweicht das Lösungsmittel, so dass nur noch der Leuchtstoff (5) mit dem Haftvermittler auf dem Halbleiterkörper verbleibt. Im zweiten Verfahren wird der Halbleiterkörper (1) mit einer Haftvermittlerschicht (6) versehen, auf die der Leuchtstoff (5) unmittelbar aufgebracht wird.
(EN)The invention relates to two methods for producing semiconductor elements, wherein a luminescence converter element is directly arranged on a semiconductor body (1). According to the first method, a suspension (4) containing a bonding agent and at least one luminous substance (5) is applied to the semiconductor body (1) in the form of a coating. In the next step, the solvent is removed, whereupon only the luminous substance (5) and the bonding agent remain on the semiconductor body. According to the second method, the semiconductor body (1) is provided with a bonding coating (6) on which the luminous substance is directly deposited.
(FR)La présente invention concerne deux procédés permettant la réalisation de composants semi-conducteurs dans lesquels un élément de conversion de luminescence est mis en place directement sur le corps semi-conducteur (1). Dans le premier procédé, une suspension (4) comprenant un promoteur d"adhérence et au moins une substance luminescente (5), est mise en place sous la forme d"une couche sur le corps semi-conducteur (1). Dans l"étape suivante, le solvant est éliminé pour que ne restent que la substance luminescente (5) et le promoteur d"adhérence sur le corps semi-conducteur. Dans le second procédé, un corps semi-conducteur (1) est recouvert d"une couche de promoteur d"adhérence (6) sur laquelle est directement déposée la substance luminescente (5).
Designierte Staaten: CA, CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)