WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2001065587) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PLASMABEHANDELN DER OBERFLÄCHE VON SUBSTRATEN DURCH IONENBESCHUSS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2001/065587    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2001/000762
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2001 Internationales Anmeldedatum: 26.02.2001
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    11.09.2001    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Anmelder: COBES GMBH NACHRICHTEN- UND DATENTECHNIK [DE/DE]; Rotteckring 14, 79341 Kenzingen (DE) (For All Designated States Except US).
STOLLENWERK, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STOLLENWERK, Johannes; (DE)
Vertreter: GOY, Wolfgang; Zähringer Strasse 373, 79108 Freiburg (DE)
Prioritätsdaten:
100 10 126.7 03.03.2000 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PLASMABEHANDELN DER OBERFLÄCHE VON SUBSTRATEN DURCH IONENBESCHUSS
(EN) METHOD AND DEVICE FOR PLASMA-TREATING THE SURFACE OF SUBSTRATES BY ION BOMBARDMENT
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA DE LA SURFACE DE SUBSTRATS PAR BOMBARDEMENT IONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Verringern der Dicke von Substraten (3), insbesondere Wafern, durch Ionenätzung sieht vor, dass unter Anwesenheit eines Ätzgases das Plasma durch einen Lichtbogen erzeugt wird. Der Lichtbogen kann dabei entweder mit einer Wechselspannung oder mit einer Gleichspannung zwischen zwei Elektroden (4, 5) erzeugt werden. Das zu behandelnde Substrat (3) liegt dabei auf einem negativ gepulsten Gleichspannungspotential. Das Verfahren zeichnet sich durch eine hohe Ionisationsrate und damit durch kurze Ätzzeiten aus. Eine weitere Anwendung des erfindungsgemässen Verfahrens zum Plasmabehandeln der Oberfläche von Substraten (3) durch Ionenbeschuss sieht das Plasmaaktivieren der Oberfläche dieser Substrate (3) vor.
(EN)The invention relates to a method and a device for reducing the thickness of substrates (3), especially wafers, by ion etching. The method provides that the plasma is produced through an arc in the presence of an etching gas. Said arc can be produced with either an alternating voltage or a direct voltage between two electrodes (4, 5). The substrate (3) to be treated is at a negatively pulsed direct voltage potential. The inventive method is characterised by a high ionisation rate and consequently, by short etching times. Another application for the inventive method for plasma-treating the surface of substrates (3) by ion bombardment provides that the surface of these substrates (3) is plasma-activated.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de réduire l'épaisseur de substrats (3), notamment de plaquettes, par gravure ionique. En présence d'un gaz de gravure, le plasma est produit par un arc électrique pouvant être créé par une tension alternative ou bien une tension continue entre deux électrodes (4, 5). Le substrat à traiter (3) est à un potentiel de tension continue pulsée négative. Ce procédé se distingue par un taux d'ionisation élevé et donc des temps de gravure courts. Une autre application du procédé selon l'invention permettant de traiter au plasma la surface de substrats (3) par bombardement ionique, prévoit l'activation par plasma de la surface de ces substrats (3).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)