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1. (WO2000077842) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER NICHTFLÜCHTIGEN HALBLEITER-SPEICHERZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/077842    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/001912
Veröffentlichungsdatum: 21.12.2000 Internationales Anmeldedatum: 14.06.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    28.11.2000    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
HAMMER, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLEE, Veit [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TEMPEL, Georg [KR/DE]; (DE) (For US Only).
JACOB, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HAMMER, Markus; (DE).
KLEE, Veit; (DE).
TEMPEL, Georg; (DE).
JACOB, Michael; (DE)
Vertreter: KINDERMANN, Peter; Karl-Böhm-Str. 1, 85598 Baldham (DE)
Prioritätsdaten:
199 27 287.5 15.06.1999 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER NICHTFLÜCHTIGEN HALBLEITER-SPEICHERZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE CELLULE DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Halbleiter-Speicherzelle, wobei zum Erzeugen eines eine Tunnelschicht (2) überlappenden Tunnelbereichs (TB) eine schräge Implantation (IS) derart durchgeführt wird, daß die Implantation im Wesentlichen vom Tunnelbereich (TB) weg gerichtet ist. Dadurch erhält man eine minimale Beschädigung der sensitiven Tunnelschicht (2) sowie einer dielektrischen Schicht (4), weshalb eine Halbleiter-Speicherzelle mit äußerst zuverlässiger Ladungshaltung bei hoher Integrationsdichte hergestellt werden kann.
(EN)The invention relates to a method for producing a non-volatile semiconductor memory cell. According to said method, a tunnel area (TB) overlapping a tunnel layer (2) is produced by means of a diagonal implantation (Is), the implantation being essentially directed away from the tunnel area (TB). This ensures that there is minimal damage to the sensitive tunnel layer (2) and to a dielectric layer (4). As a result, it is possible to produce a semiconductor memory cell with extremely reliable charging behavior at a high integration density.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une cellule de mémoire à semi-conducteurs non volatile. Pour produire une zone tunnel (TB) recouvrant une couche tunnel (2), une implantation oblique (IS) est réalisée de telle façon que l'implantation soit sensiblement éloignée de la zone tunnel (TB). Ainsi, on obtient un endommagement minimal de la couche tunnel (2) sensible et d'une couche diélectrique (4), ce qui permet de produire une cellule de mémoire à semi-conducteurs ayant un comportement de charge extrêmement fiable pour une densité d'intégration élevée.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)