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1. (WO2000077827) NIEDERINDUKTIVES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/077827    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/001254
Veröffentlichungsdatum: 21.12.2000 Internationales Anmeldedatum: 20.04.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    05.10.2000    
IPC:
H01L 23/538 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01)
Anmelder: EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG [DE/DE]; Max-Planck-Strasse 5, D-59581 Warstein-Belecke (DE) (For All Designated States Except US).
HIERHOLZER, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HIERHOLZER, Martin; (DE)
Vertreter: MÜLLER & HOFFMANN; Innere Wiener Strasse 17, 81667 München (DE)
Prioritätsdaten:
199 27 285.9 15.06.1999 DE
Titel (DE) NIEDERINDUKTIVES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) LOW-INDUCTANCE SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR BASSE INDUCTION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Halbleiterbauelement vorgeschlagen, das ein Gehäuse, eine Trägerplatte, zumindest ein Keramiksubstrat, das zumindest an seiner Oberseite mit einer Metallisierung (10) versehen ist und zumindest zwei Schaltelemente aufweist, vorgeschlagen. Die Schaltelemente sind auf der Oberseite des Keramiksubstrats elektrisch leitend angeordnet und verfügen jeweils über Laststromanschlüsse und einen Steueranschluß. Erfindungsgemäß verfügt das Halbleiterbauelement über mehrere externe Laststromanschlußelemente, die auf einer ersten Seite und einer zweiten, der ersten gegenüberliegenden Seite angeordnet sind. Die Laststromanschlüsse der Schaltelemente sind über Zuführungen elektrisch mit den externen Laststromanschlußelementen verbunden, die ein erstes und ein zweites Versorgungspotential aufweisen können. Jeweils zwei Schaltelemente sind derart benachbart angeordnet, daß sich die jeweiligen Zuführungen annähernd parallel zu zwei zugeordneten Laststromanschlußelementen hin erstrecken, wobei die zwei benachbarten Laststromanschlußelemente unterschiedliche Polarität aufweisen. Hierdurch wird eine Kompensation der Magnetfelder erzielt.
(EN)The invention relates to a semiconductor component comprising a housing, a substrate board, at least one ceramic substrate which at least on its upper surface is provided with a metallization (10), and at least two switching elements. The switching elements are mounted on the upper surface of the ceramic substrate in an electrically conductive manner and each have load-current connections and a control connection. According to the invention the semiconductor component comprises several external load-current connecting elements which are positioned on one side of said component as well as on a second side which is opposite the first. The load-current connections of the switching elements are electrically connected via supply wires to the external load-current connecting elements which can present a first and a second supply potential. Two switching elements each are arranged next to each other in such a way that the corresponding supply wires extend substantially parallel to two load-current connecting elements which are assigned to same and present different polarities. This results in compensation of the magnetic fields.
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur comportant un boîtier, une plaque support, au moins un substrat céramique présentant une métallisation (10) sur sa face supérieure au moins, ainsi qu'au moins deux éléments de commutation. Les éléments de commutation, montés électroconducteurs sur la face supérieure du substrat céramique, disposent chacun de connexions de courant de charge et d'une connexion de commande. Selon l'invention, le composant semi-conducteur dispose de plusieurs éléments de connexion de courant de charge externes, placés sur une première face et sur une deuxième face opposée à la première. Les connexions de courant de charge des éléments de commutation sont reliées électriquement par l'intermédiaire de fils d'alimentation aux éléments de connexion de courant de charge externes qui peuvent présenter un premier et un deuxième potentiel d'alimentation. Deux éléments de commutation sont à chaque fois montés l'un à côté de l'autre de sorte que les fils d'alimentation correspondants s'étendent pratiquement parallèlement aux deux éléments de connexion de courant de charge associés, les deux éléments de connexion de courant de charge voisins présentant une polarité différente. Les champs magnétiques sont ainsi compensés.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)