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1. (WO2000072360) JUNCTIONISOLIERTER LATERAL-MOSFET FÜR HIGH-/LOW-SIDE-SCHALTER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/072360    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/001492
Veröffentlichungsdatum: 30.11.2000 Internationales Anmeldedatum: 12.05.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    14.12.2000    
IPC:
H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
TIHANYI, Jenö [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: TIHANYI, Jenö; (DE)
Vertreter: MÜLLER & HOFFMANN; Innere Wiener Strasse 17, 81667 Munich (DE)
Prioritätsdaten:
199 23 466.3 21.05.1999 DE
Titel (DE) JUNCTIONISOLIERTER LATERAL-MOSFET FÜR HIGH-/LOW-SIDE-SCHALTER
(EN) JUNCTION INSULATED LATERAL MOSFET FOR HIGH/LOW SIDE SWITCHES
(FR) MOSFET LATERAL A ISOLATION DE JONCTION POUR COMMUTATEUR HAUT-BAS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen junctionisolierten Lateral-MOSFET für High-/Low-Side-Schalter, bei dem sich zwischen einer n-leitenden Source-Zone (2) und einer n-leitenden Drain-Zone (3) eine p-leitende Wand (4) zusammen mit der Source-Zone (2) und der Drain-Zone (3) bis zu einem p-leitenden Substrat (1) erstreckt, wobei die Source-Zone (2) und die Drain-Zone (3) durch ein p-leitendes Gebiet (5) umgeben sind.
(EN)The invention relates to a junction insulated lateral MOSFET for high/low side switches. A p-conductive wall (4) between an n- conductive source zone (2) and an n-conductive drain zone (3), together with the source zone (2) and drain zone (3), extend to a p-conductive substrate (1). The source zone (2) and the drain zone (3) are surrounded by a p-conductive area (5).
(FR)L'invention concerne un MOSFET latéral à isolation de jonction pour commutateur haut-bas, caractérisé en ce qu'une paroi de conduction p (4) s'étend entre une source de conduction n (2) et un drain de conduction n (3), conjointement avec la source (2) et le drain (3), jusqu'à un substrat (1) de conduction p, la source (2) et le drain (3) étant entourés par une région de conduction p (5).
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)