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1. (WO2000070674) KONDENSATOR FÜR HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHT FÜR DENSELBEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/070674    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/001405
Veröffentlichungsdatum: 23.11.2000 Internationales Anmeldedatum: 04.05.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    25.09.2000    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
HANEDER, Thomas, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
REISINGER, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BACHHOFER, Harald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HÖNLEIN, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HANEDER, Thomas, Peter; (DE).
REISINGER, Hans; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE).
BACHHOFER, Harald; (DE).
HÖNLEIN, Wolfgang; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
INFINEON TECHNOLOGIES AG; c/o Müller & Hoffmann, Innere Wiener Strasse 17, 81667 München (DE)
Prioritätsdaten:
199 22 180.4 12.05.1999 DE
Titel (DE) KONDENSATOR FÜR HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHT FÜR DENSELBEN
(EN) CAPACITOR FOR A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC LAYER FOR THE CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE POUR CE CONDENSATEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kondensator für eine Halbleiteranordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht (3) für diesen Kondensator. Die dielektrische Schicht (3) besteht dabei aus Ceroxid, Zirkoniumoxid oder Hafniumoxid oder aus verschiedenen Filmen dieser Materialien.
(EN)The present invention relates to a capacitor for a semiconductor arrangement and a method for producing a dielectric layer (3) for said capacitor. The dielectric layer (3) consists of ceroxide, zirconium oxide or hafnium oxide or various films of said materials.
(FR)L'invention concerne un condensateur pour dispositif semi-conducteur, ainsi qu'un procédé d'obtention d'une couche diélectrique (3) pour ce condensateur. La couche diélectrique (3) est formée d'oxyde de cérium, d'oxyde de zirconium ou d'oxyde d'hafnium ou de différents films en ces matériaux.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)