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1. (WO2000067311) VERFARHEN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERTRÄGERS IN EINEM HOCHTEMPERATUR-CVD-REAKTOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/067311    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/001312
Veröffentlichungsdatum: 09.11.2000 Internationales Anmeldedatum: 26.04.2000
IPC:
C23C 16/458 (2006.01)
Anmelder: AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17, D-52072 Aachen (DE) (For All Designated States Except US).
SCHMITZ, Dietmar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KAEPPELER, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STRAUCH, Gert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JÜRGENSEN, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HEUKEN, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHMITZ, Dietmar; (DE).
KAEPPELER, Johannes; (DE).
STRAUCH, Gert; (DE).
JÜRGENSEN, Holger; (DE).
HEUKEN, Michael; (DE)
Vertreter: WILHELM MÜNICH & KOLLEGEN; Wilhelm-Mayr-Strasse 11, D-80689 München (DE)
Prioritätsdaten:
199 19 902.7 30.04.1999 DE
Titel (DE) VERFARHEN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERTRÄGERS IN EINEM HOCHTEMPERATUR-CVD-REAKTOR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A WAFER SUPPORT IN A HIGH-TEMPERATURE CVD REACTOR
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SUPPORT DE TRANCHES UTILISE EN PARTICULIER DANS UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR HAUTE TEMPERATURE OU SELON UN PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN GAZ VAPEUR HAUTE TEMPERATURE IMPLIQUANT L'UTILISATION DE GAZ AGRESSIFS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers mit einer Beschichtung, nach Reinigen des speziell mechanisch vorgefertigten Waferträgers gekennzeichnet durch Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf hohe Temperaturen, Einbringen von Beschichtungskomponenten zum Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu einer Schutzschicht oder zur Deposition zugeführter Komponenten zu einer Schutzschicht. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass der erfindungsgemässe Waferträger mit der speziellen Beschichtung für ein System und ein Verfahren zur Hochtemperatur-CVD-Bearbeitung von Wafern unter Verwendung aggressiver Gase derart eingesetzt werden kann, dass neben der reproduzierbaren Abscheibung der gewünschten Schichtfolgen mit sehr guter Gleichmässigkeit der Materialeigenschaft, keine chemische Wechselwirkung mit dem Waferträger auftritt.
(EN)The invention relates to a method for producing a wafer support with a coating, applied after the cleaning of said wafer support which has been specially pre-fabricated by mechanical means. Said coating is produced by heating the cleaned wafer support to high temperatures, applying coating components for converting the surface of the wafer support into a protective layer, or for facilitating the deposition of the supplied components, in order for them to form a protective layer. The invention is characterised in that the inventive wafer support, comprising said special coating, can be used in a system and a method for high-temperature CVD processing, using aggressive gases in such a way, that in addition to the desired sequence of layers being reducibly deposited with a very high degree of uniformity in the material characteristics, there is no chemical interaction with the wafer support.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un support de tranches pourvu d'un revêtement, après nettoyage du support de tranches préfabriqué spécialement de façon mécanique, ledit procédé se caractérisant par le fait que l'on porte à une température élevée le support de tranche nettoyé, qu'on introduit des composants de revêtement pour convertir la surface du support de tranche en une couche de protection ou bien pour créer le dépôt des composants amenés, de façon qu'ils forment une couche de protection. L'invention se caractérise par le fait que le support de tranches selon l'invention, pourvu de son revêtement spécial, peut être utilisé dans un système et dans un procédé de traitement par dépôt chimique en phase vapeur haute température de tranches, impliquant l'utilisation de gaz agressifs, de telle sorte que parallèlement au dépôt reproductible des séries de couches souhaitées, avec une très grande uniformité des caractéristiques de matière, il n'y a aucune interaction chimique avec le support de tranches.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)