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1. (WO2000066815) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FILTERS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/066815    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2000/003030
Veröffentlichungsdatum: 09.11.2000 Internationales Anmeldedatum: 05.04.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    24.07.2000    
IPC:
B01D 39/16 (2006.01), B01D 67/00 (2006.01), B01D 71/02 (2006.01), C25F 3/12 (2006.01)
Anmelder: NFT NANO-FILTERTECHNIK GMBH [DE/DE]; Marienbader Platz 18, D-61348 Bad Homburg v.d.H. (DE) (For All Designated States Except US).
HOFMANN, Wilfried [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HOFMANN, Wilfried; (DE)
Vertreter: VON BÜLOW, Tam; Mailänder Strasse 13, D-81545 München (DE)
Prioritätsdaten:
199 19 903.5 30.04.1999 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FILTERS
(EN) METHOD OF PRODUCING A FILTER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILTRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt ein elektrochemisches Ätzverfahren zum Ätzen feiner Filterporen in einen n- oder p-dotierten Silizium-Rohling, wobei die Filterporen einen annähernd konstanten Porenquerschnitt haben. Der Rohling wird als Anode oder Kathode verschaltet, in eine Ätzlösung eingetaucht, in der eine Gegenelektrode zur Erzeugung eines Ätzstroms angeordnet ist und mit Licht betrahlt, wodurch in Rohling Minoritätsladungsträger erzeugt werden. Die Erzeugungsrate der Minoritätsladungsträger wird dabei über die Bestrahlung so gesteuert, dass sie mit zunehmendem Ätzfortschritt, d.h. mit zunehmender Porentiefe, abnimmt.
(EN)The invention relates to an electrochemical etching method for etching fine filter pores into an n- or p-doted silicon blank, the filter pores having a substantially constant pore diameter. Said blank is wired as an anode or cathode, dipped into an etching solution in which a counter-electrode is located to generate an etching current, and radiated with light, whereby minority carriers are produced in the blank. The generation rate of the minority carriers is controlled by choosing the radiation in such a manner that it decreases as the progression of the etching increases, that is with increasing pore depth.
(FR)L'invention concerne un procédé d'attaque électrochimique pour réaliser des pores de filtre fins dans une ébauche en silicium à dopage n ou p, lesdits pores présentant une section transversale approximativement constante. L'ébauche est connectée sous la forme d'une anode ou d'une cathode, puis plongée dans une solution d'attaque, dans laquelle est placée une contre-électrode servant à produire un courant d'attaque, et enfin soumise à l'action de la lumière, ce qui provoque la formation de porteurs minoritaires dans l'ébauche. Le taux de production des porteurs minoritaires est régulé par l'intermédiaire de l'exposition à la lumière, de sorte qu'il diminue d'autant plus que l'attaque progresse, c'est-à-dire d'autant plus que la profondeur des pores augmente.
Designierte Staaten: AU, BG, BR, BY, CA, CN, CZ, EE, HU, IL, JP, KR, LT, LV, MK, MX, NO, NZ, PL, RO, RU, SG, SI, SK, UA, US, YU.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)