WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2000060670) INTEGRIERTE HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM LATERALEN LEISTUNGSELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/060670    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/000812
Veröffentlichungsdatum: 12.10.2000 Internationales Anmeldedatum: 16.03.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    25.10.2000    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Anmelder: SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO. KG [DE/DE]; Paul-Gossen-Strasse 100, D-91052 Erlangen (DE) (For All Designated States Except US).
WEIS, Benno [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PETERS, Dethard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: WEIS, Benno; (DE).
PETERS, Dethard; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE)
Vertreter: ZEDLITZ, Peter; Postfach 22 13 17, D-80503 München (DE)
Prioritätsdaten:
199 14 803.1 31.03.1999 DE
Titel (DE) INTEGRIERTE HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM LATERALEN LEISTUNGSELEMENT
(EN) INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE LATERAL POWER GATE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR INTEGRE MUNI D'UN ELEMENT DE PUISSANCE LATERAL
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein laterales Leistungselement (50). Das Leistungselement (50) ist innerhalb einer Halbleiterschicht (20) aus einem Halbleitermaterial mit einem Bandabstand von mindestens 2 eV angeordnet und seitlich durch einen Graben (30) in der Halbleiterschicht (20) begrenzt. Die Halbleiterschicht (20) ist auf einem Substrat (10) mit einer größeren Wärmeleitfähigkeit als der von Silicium angeordnet und elektrisch gegenüber einer der Halbleiterschicht (20) abgewandten Substratoberfläche (11) isoliert. Damit ergibt sich eine integrationsfähige Halbleitervorrichtung (100) für eine hohe Sperrspannung und eine hohe Schaltfrequenz.
(EN)The invention relates to a semiconductor device (100) which contains a lateral power gate (50). Said power gate (50) is located within a semiconductor layer (20) that consists of a semiconductor material with an energy gap of at least 2 eV and that is laterally delimited by a trench (30) in the semiconductor layer (20). Said semiconductor layer (20) is arranged on a substrate (10) that has a higher thermal conductivity than silicon and that is electrically insulated vis-à-vis a substrate surface (11) that faces away from the semiconductor layer (20). The invention provides an integrated semiconductor device (100) for a high blocking voltage and a high frequency of operation.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) contenant un élément de puissance (50) latéral. Cet élément de puissance (50) est disposé dans une couche semi-conductrice (20) composée d'un matériau semi-conducteur avec une largeur de bande interdite d'au moins 2 eV et est délimité latéralement par un fossé (30) dans la couche semi-conductrice (20). Cette couche semi-conductrice (20) est placée sur un substrat (10) dont la conductibilité thermique est supérieure à celle du silicium et est isolée électriquement par rapport à une surface du substrat (11) opposée à la couche semi-conductrice (20). L'invention permet ainsi d'obtenir un dispositif à semi-conducteur (100) pouvant être intégré pour une tension d'arrêt élevée et une fréquence de commutation élevée.
Designierte Staaten: CA, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)